《LED基本理论知识》.pdf

LED 基本理论知识 LED 基本理论知识 半导体发光器件包括半导体发光二极管（简称LED）、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏（简称矩阵管）等。事 实上，数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。 一、 半导体发光二极管工作原理、特性及应用 （一）LED 发光原理 发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是 PN 结。因此它具有一般P-N 结的 I-N 特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特 性。在正向电压下，电子由N 区注入P 区，空穴由P 区注入N 区。进入对方区域的少数载流子 （少子）一部分与多数载 流子（多子）复合而发光，如图 1 所示。 此主题相关图片如下： 假设发光是在P 区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发 光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合， 每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是 在少子扩散区内发光的，所以光仅在*近PN 结面数μm 以内产生。 理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Ｅg 有关，即 　　　　λ≈1240/Eg（mm） 式中Eg 的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm 紫光～780nm 红光），半导体材料的Eg 应在3.26～ 1.63eV 之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价 格很高，使用不普遍。 LED 基本理论知识 （二）LED 的特性 1．极限参数的意义 （1）允许功耗Pm:允许加于LED 两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值，LED 发热、损坏。 （2）最大正向直流电流IFm：允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。 （3）最大反向电压VRm：所允许加的最大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。 （4）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效 率大大降低。 2．电参数的意义 （1）光谱分布和峰值波长：某一个发光二极管所发之光并非单一波长，其波长大体按图2 所示。 此主题相关图片如下： 由图可见，该发光管所发之光中某一波长λ0 的光强最大，该波长为峰值波长。 （2）发光强度IV：发光二极管的发光强度通常是指法线（对圆柱形发光管是指其轴线）方向上的发光强度。若在该方 向上辐射强度为（1/683）W/sr时，则发光1 坎德拉（符号为cd）。由于一般LED 的发光二强度小，所以发光强度常用 坎德拉(mcd)作单位。 LED 基本理论知识 （3）光谱半宽度Δλ:它表示发光管的光谱纯度.是指图3 中1/2 峰值光强所对应两波长之间隔. （4）半值角θ1/2 和视角：θ1/2 是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向（法向）的夹角。 半值角的2 倍为视角（或称半功率角）。 此主题相关图片如下： 图3 给出的二只不同型号发光二极管发光强度角分布的情况。中垂线（法线）AO 的坐标为相对发光强度（即发光强度与 最大发光强度的之比）。显然，法线方向上的相对发光强度为1，离开法线方向的角度越大，相对发光强度越小。由此 图可以得到半值角或视角值。 （5）正向工作电流If：它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择IF 在0.6·IFm 以 下。 （6）正向工作电压VF：参数表中给出的工作电压