半导体 第十三讲 金属化与平坦化.ppt

* * 实现大马士革金属化的工艺过程很多，每种都有自己 的工艺特点。但每一种都采用了刻蚀阻挡层材料来确定沟道 及通孔的尺寸。与传统的铝互连工艺比较，大马士革不仅解 决了金属刻蚀的困难，而且工艺步骤减少了20%到30%。 * （1）氮化钛CVD 金属化系统中氮化钛主要作为Al、Cu以及W的金属阻 挡层，可以阻止上下层材料间的交互扩散，增强稳定性和可 靠性。 PVD法制备的氮化钛膜会在接触窗或介质窗顶部产生 悬突，继而导致孔洞的产生。所以，氮化钛通常采用金属化 学气相淀积法制备。 * 氮化钛CVD根据参加反应的气体分为有机和无机两 种，无机的氮化钛CVD气体源主要是四氯化钛，有机的则 主要是是TDMAT和TDEAT两种。无机气体淀积由于淀积 温度过高以及残留氯原子影响器件的可靠性等问题，不常采 用。而有机淀积的温度较低，所以氮化钛的淀积通常采用金 属有机化学气相淀积（MOCVD）。 MOCVD可分为TDMAT/TDEAT和TDMAT+ /TDEAT+ 两大类，反应气体中不含氨气时，淀积膜的阻值太大，而且C、O含量过多，生长温度也较高。 * 加入氨气可将生长温度降至450℃以下，淀积膜的电阻率下 降，因此可用于通孔填充。MOCVD的化学反应活化能很 低，是扩散限制的反应机制，镀膜速率与反应物扩散至 wafer表面的速率有关，所以当反应物扩散至通孔内壁时产 生反应成键，覆盖率较低。 针对MOCVD法淀积的氮化钛膜含C、O量过多的问 题，有一些方法加以改善：快速热退火、氮气等离子体法、 硅烷气体处理。 * （2）钨CVD 钨在高电流密度下有很好的抗电迁移能力，不会形成小 丘导致线路短接，且低压下可与硅形成良好的欧姆接触，常 常用作接触窗以及介质窗的填充金属和扩散阻挡层。因其电 阻率较低，也常用于多层互连及局域互连。 钨CVD典型的被淀积成垫膜的形式，最常采用的是通过 与氢气反应生成钨 * 为了阻止钨的扩散、保证它能很好的粘附在下层材料 上，需要在淀积钨之前淀积一层氮化钛膜。而为了得到低的 接触电阻，又需要在淀积氮化钛之前淀积钛。所以，垫膜 CVD的第一步是采用物理气相淀积法制备钛膜，接着淀积 一层氮化钛膜，最后再进行钨的淀积与平坦化. * * * （3）铜CVD 在合适的工艺条件下，CVD法淀积铜膜可实现选择性淀 积，铜膜只会淀积在金属表面，不会淀积到氧化物表面上。 因此，可先用金属和氧化物定义出需要的淀积图案。 CVD法淀积铜膜的速率是由表面的反应速度控制的过 程，淀积的铜膜平整均匀、表面非常光滑，而且台阶覆盖能 力和通孔填充能力都很强。化学气相淀积法制备铜膜，首先 必须选择合适的前驱物，目前，通常选择有机的铜化合物。 这类化合物经过化学反应生成的铜原子会淀积成膜。 * 2.铜电镀 传统的物理气相淀积法制备铜，成本高，而且很难填充 细小的孔洞。而电镀法制备铜具有成本低、工艺简单以及反 应温度低的优点，加之良好的孔洞填充能力和低的电阻率， 颇具应用潜力。 铜电镀的基本原理是将具有导电表面的wafer浸泡在硫 酸铜溶液中，溶液中包含需要被淀积的铜。Wafer作为带负 电荷的平板或阴极连接至外电源，固体铜块沉浸在溶液中构 成带正电荷的阳极。电流从wafer进入溶液到达铜 * 阴极，当电流流动时，铜离子与电子反应生成铜原子，反应 如下： 此反应发生在wafer表面，生成的铜原子在wafer表 面淀积成膜。控制电镀的是时间和电流。没有电流时，阳 极、阴极以及溶液之间相互平衡，加上电压时，阳极和阴极 之间产生电流，金属淀积在阴极，而且，电流越大，金属淀 积的越多。 电镀法具有较高的淀积速率和好的稳定性，是目前研究 的趋势。 * * 平坦化 多层互连线引起了大的表面起伏，wafer表面变得不平 整。不平整的wafer表面会影响光传播的精确度，无法在其 上准确的进行图形制作。平坦化技术就是用来减小或最小化 由工艺所导致的表面不平整的问题。 * 1.传统的平坦化技术 传统的的平坦化技术有反刻法、玻璃回流法以及旋涂膜 层法等。 （1）反刻 * 反刻法是先淀积一层牺牲层来填充wafer表面的空洞和 凹槽，然后再用干法刻蚀技术刻蚀掉牺牲层，通过比低处图 形快的刻蚀速率刻蚀掉高处图形达到平坦化的效果。刻蚀直 到待刻材料达到最后的厚度，而且牺牲层材料仍然填充着 wafer表面的凹槽。反刻工艺有多种，由图形、金属层次等 决定。但反刻