物理气相沉积-8-1.pptVIP

? 一、溅射镀膜方法 （3）磁控溅射 磁控溅射是70年代迅速发展起来的新型溅射技术。 其特点是在阴极靶面上建立一个环状磁靶，以控制二次电子的运动，离子轰击靶面所产生的二次电子在电磁场作用下，被压缩在近靶面作回旋运动，延长了到达阳极的路程，大大提高了与气体原子的碰撞概率，因而提高溅射率。 ? 一、溅射镀膜方法 （3）磁控溅射 磁控溅射目前已在工业生产中实际应用。这是由于磁控溅射的镀膜速率与二极溅射相比提高了一个数量级。具有沉积速率、基片的温升低、对膜层的损伤小等优点。 1974年Chapin发明了适用于工业应用的平面磁控溅射靶，对进入生产领域起了推动作用。 一、溅射镀膜方法 （4）反应溅射 在阴极溅射中，真空槽中需要充入气体作为媒 介，使辉光放电得以启动和维持。 最常用的气体是氩气。如果在通入的气体中掺入易与靶材发生反应的气体（如O2，N2等），因而能沉积制得靶材的化合物膜（如靶材氧化物，氮化物等化合物薄膜）。 一、溅射镀膜方法 （6）反应溅射 其实际装置，除为了混合气体需设置两个气体引 入口以及将基片加热到500℃以外，与两极溅射和 射频溅射无多大差别。 溅射是物理气相沉积技术中最容易控制合金成分 的方法。 二、溅射镀膜的特点 与真空蒸镀法相比，有如下特点： ①结合力高； ②容易得到高熔点物质的膜； ③可以在较大面积上