离子注入上.pptVIP

* 第三章 离子注入 (上篇) ■ 概述 ■ 离子注入工艺设备及其原理 ■ 射程与入射离子的分布 ■ 实际的入射离子分布问题 ■ 注入损伤与退火 ■ 离子注入工艺的优势与限制 离子注入(Ion lmplantation) 参考资料： 《微电子制造科学原理与工程技术》第5章离子注入 (电子讲稿中出现的图号是该书中的图号) ■ 离子注入工艺是IC制造中占主导的掺杂技术 ■ 离子注入：将杂质离化，通过电场加速，将这些离化 的杂质直接打入硅片中，达到掺杂的目的 ■ 一般CMOS工艺流程需6～12次离子注入 ■ 典型的离子注入工艺参数：能量约5～200keV， 剂量约1011～1016/cm2。 一、概述 （一）介绍 （二）MOSFET工艺中的离子注入 (1) 离子源——杂质离子的产生 (2) 加速管——杂质离子的加速 (3) 终端台——离子的控制 二、离子注入工艺设备及其原理 1、离子注入技术的三大基本要素： (1) 离子的产生 (2) 离子的加速 (3) 离子的控制 2、离子注入系统的三大组成部分： ■ 气态源： (或固体源) B