第七章：沉积.pptVIP

LPCVD工艺 LPCVD SiO2：掺杂和不掺杂的主要用做ILD、浅槽介质填充和侧墙等。 1）用SiH4沉积SiO2： SiH4＋O2 →SiO2＋H2 温度：450℃ 压力：0.1～5.0Torr 缺点：台阶覆盖能力和间隙填充能力都差。 2）用TEOS热分解沉积SiO2： Si（C2H5O4） → SiO2 ＋ H2O ＋ CO2 温度： 650℃～750℃ 压力： 0.1～5.0Torr 沉积速率：10～15nm/分（远远小于APCVD） 优点：台阶覆盖能力和间隙填充能力都好。 LPCVD的优点：膜致密，颗粒少。 LPCVD的缺点：沉积速率慢。 APCVD SiO2和 LPCVD SiO2的比较 工 艺 优 点 缺 点 APCVD SiO2 （用TEOS） 沉积速率高 台阶覆盖和间隙填充较好 沉积温度低 表面颗粒多 用气量大成本高 薄膜应力大 LPCVD SiO2 （用TEOS） 台阶覆盖和间隙填充很好 膜致密均匀性好 设备成本低 沉积速率低 沉积温度偏高 LPCVD Si3N4 LPCVD Si3N4的用途： 1. 在局部氧化（LOCOS）中，做氧化阻挡层 2. 做硬掩膜用于浅槽隔离 3. 用做电容介质 工艺： SiH2Cl2＋ 4 NH3→ Si3N4 ＋ 6 HCl ＋ 6 H2 温度： 700℃～800℃ 压力： 0.1～5.0Torr 影响Si3N4薄膜质量的主要因素： 1. 总反应压力 2. 反应物浓度 3. 沉积温度和温度梯度 LPCVD Poly－Si（多晶硅） LPCVD Poly－Si的用途： 1. 掺杂的Poly－Si在MOS器件中用做栅电极 2. 掺杂的Poly－Si做多晶电阻及桥联 3. PIP电容的上下电极 工艺： SiH4→ Si＋ 2 H2 温度：575℃～650℃ 压力： 0.2～1.0Torr 沉积速率：10～20nm/分 掺杂的Poly－Si做栅电极的原因 1. 通过掺杂可得到特定的电阻 2. 与SiO2有优良的界面特性 3. 和后续高温工艺的兼容性 4. 比金属电极（如Al）更高的可靠性 5. 在陡峭的结构上沉积的均匀性 6. 实现栅的自对准工艺 原位掺杂Poly－Si：AsH3、PH3、B2H6 非原位掺杂Poly－Si： 也可在沉积后进行扩散或离子注入掺杂 PECVD（等离子增强CVD） PECVD（Plasma Enhanced CVD） PECVD的概念 PECVD是通过在真空腔中给反应气体施加等离子体能量（即通常施加射频功率几百瓦，频率几百千赫），使反应气体激发产生化学活性很强的分子、原子，加速化学反应沉积成膜。 PECVD系统 PECVD设备 美国TRION公司 的MINI型设备 ■ PECVD SiO2工艺： 1）用 SiH4 ＋ O2 沉积SiO2： SiH4＋O2 →SiO2＋H2 温度：350℃ 压力：0.1～1.0Torr 沉积速率：50～60nm/min 缺点：颗粒较多 2）用 SiH4 ＋ N2 O沉积SiO2： SiH4＋2N2 O→SiO2＋2N2 ＋2H2 温度：350℃ 压力：0.1～1.0Torr 沉积速率：50～60nm/min 优点：颗粒少 ■ PECVD SiO2的特点： 1. PECVD的成膜温度比APCVD和LPCVD还要低（通常在300℃～400℃ ） 2. 沉积速率高 3. 冷壁反应，产生颗粒少 4. 与APCVD SiO2 比更均匀，针孔少 ■ PECVD SiO2的用途： 1. 用做ILD、浅槽介质填充和侧墙等 2. 做顶层的钝化层 ■ PECVD 氮化硅工艺 SiH4＋ NH3 → SixNY HZ＋ H2 SiH4＋ N2 → SixNY HZ＋ H2 温度：350℃ 压力：0.1～1.0Torr 沉积速率：20～30nm PECVD 氮化硅的特点： 1. 冷壁反应，产生颗粒少 2. 氮化硅膜的成分不成化学比 3. 应力比较大 ■ PECVD 氮化硅的用途： 主要做芯片顶层的钝化层 各种CVD的特点比较 种 类 沉积膜 种类 反应能量 提供方式 沉积温度（℃） 沉积速率nm/分 特 点 APCV D SiO2 （包括PSG、BPSG） 电阻加热 热壁 400 （TEOS） 1