天津大学数字集成电路第二讲导线.ppt

第二讲 导线和传输线模型 天津大学电子科学与技术系 VLSI课件 史再峰shizaifeng@tju.edu.cn 一、综述：现代集成电路工艺中的互连线 Intel 工艺技术路线 Intel 0.25 微米工艺互连线 互连线结构式示意图 互连线的长度分布 各材料连线延时的比较 线间距工艺参数对比 现代多层布线工艺 宽厚和间距大的连线布置在高层 M5及以上采用较厚连线： 全局连线、电源线 密集和较薄的连线布置在低层 M1、M2、M4、（M5）：功能快连线 M1: 局部（单元内）连线 导线 集成电路的导线已经形成复杂的几何形体,引起电容、电阻和电感等寄生参数效应。 会使传播延时增加，性能下降 会影响功率和能耗的分布 会引起额外的噪声来源，影响电路的可靠性 导线的完整模型和电容模型 二、ELMORE延时模型 传播延时建模分析 用一阶 RC网络分析 树结构的RC网络 该电路只有一个输入点 所有的电容都在某个节点与地之间 该电路不包括任何电阻回路（形成树结构） 艾尔默延时 路径电阻：从源节点到任何节点之间存在唯一的电阻路径，其总电阻称为路径电阻 rii = ? rj ? (rj ? [path(s ? i)] 共享路径电阻表示从个节点到i及k两个节点的路径中共享部分的总电阻rik rik = ? rj ? (rj ? [path(s?i) ? path(s?k)]) Elmore 延时模型的应用 为长导线建立延时模型 为传输门逻辑的延时建模 对上拉或下拉网络的延时模型建模 例题:RC树的Elmore延时 课堂练习：计算下列图形的elmore延时 三、互连线的电容模型 互连线的平行板电容模型 典型的绝缘材料的相对介电常数 边缘电容及其影响 边缘场效应的互连电容与W/t的关系 导线的电容耦合 互连电容与设计规则的关系 设计时,对于导线电容的考虑 一般制造商会提供每层的面电容和周边电容。 实际设计时，可以查表或查图。 考虑性能时，电容的计算： 要用制造后的实际尺寸， 考虑延迟或动态功耗时， 一般用最坏情况（最大宽度W ，最薄介质） 考虑竞争情况时用最小宽度W 及最厚介质。 减少连线电阻 采用有选择性的工艺尺寸缩小 采用优质互连线材料 如：铜、硅化物（Silicides） 采用更多互连层 减少平均导线长度 四、导线RC延时模型 理想导线：没有任何附加参数或寄生元件的简单连线 导线一端的变化会立刻传递到另一端 导线是一个等势区 集总模型（Lumped C model ） 互连线延时的仿真结果 导线延时模型 集总式RC模型 导线的电阻部分很小，并且开关频率在低至中间范围内 把分布的电容集总为单个电容 分布式RC模型 导线寄生参数沿导线长度分布 c 与 l 表示单位长度的电阻和电容 分布式rc线 两种模型的阶跃响应 例题：考虑驱动器内阻RS时RC线的延时 传输线的spice模型 练习：计算T2模型与PI3模型的延时 电子系统中的互连线 导线长度为L，分割成N段，每段电阻r L/N，每段的电容 c L/N 利用Elmore延时来计算 1.0 RC 2.3 RC 0 ? 90% 0.9 RC 2.2 RC 10% ? 90% (tr) 0.5 RC RC 0 ? 63% (?) 0.38 RC 0.69 RC 0 ? 50% (tp) Distributed RC Lumped RC Voltage Range 如果仿真器不支持分布式的RC 模型,可以手动用具有有限个元件的集总RC 网络来近似，pi3模型精度误差小于3% TJU. ASIC Center---Arnold Shi *TJU. ASIC Center---Arnold Shi TJIC Global Interconnect Source: Intel From MPR, 2000 Intel P856.5 Al, 0.25?m ? - 0.33 M2 ? - 0.33 M3 ? - 0.12 M4 ? - 1.11 M1 ? - 0.05 M5 Scale: 2,160 nm ? - 0.49 M2 ? - 0.49 M3 ? - 0.17 M4 ? - 1.00 M1 ? - 0.08 M5 ? - 0.07