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2016-01-04 发布于湖北
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EXCIMER-LASER ENHANCED FORMATION OF LUMINESCENT NANOCRYSTAL-Si/SiO2 SUPERLATTICES Daigil Cha, Yohan Sun, and Jung H. Shin Dept. of Physics Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST) 373-1 Kusung-dong, Yusung-Gu Daejeon, Korea Outline Outline • Si/SiO2 superlattice for size-controlled, dense nc-Si arrays • Problem of thermal annealing of Si/SiO2 superlattice • Excimer laser annealing for formation of luminescent nc-Si: • Results • Analysis • Single-triplet model of nc-Si luminescence • Comparison of low temperature PL • Conclusion KAIST Silicon Photonics Lab Introduction • What is nanocrystal Si? • Si crystals in size range in which quantum effects become important Rule of thumb: crystal radius exciton Bohr radius Element Badgap Type Bulk Bandgap (eV) Exciton radius (nm) Si Indirect 1.12 4.9 Ge Indirect 0.66 17.7 GaAs Direct 1.42 14 SiC Indirect 2.88-3.2 2.7 GaP Indirect 2.26 1.7 • Si requires radius of 5 nm to be “nanocrystal Si” KAIST Silicon Photonics Lab Applica