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元器件复习

放大电路 在该电路中,RB1、RB2 对电源电压串联分压,得到UB=VCC/(RB1+RB2)×RB2,所以基极电压UB 不随温度发生变化 UE=UB-0.7V IE=UE/RE IC≈IE UCE=VCC-IC×(RC+RE) 其放大原理与固定偏置放大电路相同,即变化的集电极电压通过负载RL 对电容C2 充电、放电,在RL 上得到放大了的信号 元器件复习提纲 电阻 符号(文字符号和图形符号):R 单位:Ω 标示方法:数标法、直标法、色标法 参数:阻值、额定功率、误差 电阻在电路中的作用:分压、限流、分流 好坏判断 电位器 电位器分类: 不同电位器的应用场合 电容 符号(文字符号和图形符号):C 单位:F、(常用的UF、PF) 标示方法:数标法、直标法、色标法 参数:容量、偏差、额定电压、漏电流等 电容在电路中的作用:调谐、滤波、耦合、旁路、退偶等 好坏判断 电感 符号(文字符号和图形符号):L 单位:H(常用UH、MH) 标示方法:直标法、色标法 参数:电感量、品质因数、固有电容、额定电流 电感的特性: 好坏判断 二极管 符号(文字符号和图形符号):D 特性:单向导电 材料:硅、锗 按作用分类:整流、检波、稳压、开关 二极管的测量方法 三极管 符号(文字符号和图形符号):Q、VT 分类:NPN、PNP 三种状态:截止、放大、饱和导通 三个电极的电流关系:IEICIB 三极管的检测方法?(P193) 场效应管 符号(文字符号和图形符号):Q 导电沟道分类:N沟道、P沟道 引脚标注:G、S、D 检测方法(P225) 变压器 符号(文字符号和图形符号):T 作用:升压、降压、变换阻抗 变压器的初次极电压与线圈匝数关系 晶闸管 俗称可控硅,是一种大功率开关型半导体器件 三个电极名称:阳极A 阴极K 控制极G 作用:可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变、变频 图形符号: 继电器 种类:电磁继电器、舌簧继电器、固态继电器 触点形式:动合型、动断型、转换型 示波器 示波器的作用? 垂直旋钮、水平旋钮、触发旋钮 触发源:内部触发、外部触发、电源触发 基本门电路真值表(表达式) 与门 (Y=AB) 或门 (Y=A+B) 非门 (2) 输出特性曲线 先把IB调到某一固定值保持不变。 当IB不变时,输出回路中的电流IC与管子输出端电压UCE之间的关系曲线称为输出特性。 然后调节UCC使UCE从0增大,观察毫安表中IC的变化并记录下来。 UCE UBB UCC RC + + RB IC IB UBE mA ?A IE 根据记录可给出IC随UCE变化的伏安特性曲线,此曲线就是晶体管的输出特性曲线。 IB UCE / V IC /mA 0 UBB UCC RC + + RB IC IB UBE mA ?A IE 再调节IB1至另一稍小的固定值上保持不变。 仍然调节UCC使UCE从0增 大,继续观察毫安表中IC 的变化并记录下来。 UCE 根据电压、电流的记录值可绘出另一条IC随UCE变化的伏安特性曲线,此曲线较前面的稍低些。 UCE / V IC /mA 0 IB IB1 IB2 IB3 IB=0 如此不断重复上述过程,我们即可得到不同基极电流IB对应相应IC、UCE数值的一组输出特性曲线。 输出曲线开始部分很陡,说明IC随UCE的增加而急剧增大。 当UCE增至一定数值时(一般小于1V),输出特性曲线变得平坦,表明IC基本上不再随UCE而变化。 当IB一定时,从发射区扩散到基区的电子数大致一定。当UCE超过1V以后,这些电子的绝大部分被拉入集电区而形成集电极电流IC 。之后即使UCE继续增大,集电极电流IC也不会再有明显的增加,具有恒流特性。 UCE / V IC /mA 0 20 ?A IB=0 40 ?A 60 ?A IB=100 ?A 80 ?A 4 3 2 1 1.5 2.3 当IB增大时,相应IC也增大,输出特性曲线上移, 且IC增大的幅度比对应IB大得多。这一点正是晶体管的电流放大作用。 从输出特性曲线可求出三极管的电流放大系数β。 ΔIB=40 ?A 取任意再两条特性曲线上的平坦段,读出其基极电流之差; 再读出这两条曲线对应的集电极电流之差ΔIC=1.3mA; ΔIC 于是我们可得到三极管的电流放大倍数: β=ΔIC/ΔIB=1.3÷0.04=32.5 UCE / V IC /mA 0 20 ?A IB=0 40 ?A 60 ?A IB=100 ?A 80 ?A 4 3 2 1 1.5 2.3 输出特性曲线上一般可分为三个区: 饱和区。当发射结和集电结均为正向偏

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