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第三章 光电子发射探测器 光电子发射探测器基于外光电效应，也叫真空光电探测器。在光辐照下，探测器内光敏材料的电子得到足够的光子能量后，就会逸出材料表面，在空间电场的作用下使形成电流。 * 3-1光电子发射效应 光电子发射效应是1887年由德国物理学家赫兹在证实麦克斯韦预言的电磁波实验中偶然发现的现象：当光照射某种物质时，若入射的光于能量加足够大，致使电子逸出物质表面．这就是光电子发射效应，逸出物质表面的电子叫做光电子。 光电子发射效应电子能量的转换公式为 3-2光电子发射材料 3-3 光电倍增管 一金属的光电子发射 特性： 金属材料的逸出功较高， 表面反射强，对光辐射的吸收率低， 其内部存在大量的自由电子，使激发的电子因碰撞损失能量而不能逸出。 ν0 ν T=0 K T0K 二 半导体的光电子发射 半导体对入射光有较小的反射系数，有较大的吸收系数； 阴极层导电性适中，电子在趋向表面运动时损失能量比金属小，二来可以使层内传导电子的补充不发生困难； 半导体内存在着大量的发射中心(价带中有大的电子密度)； 半导体有较小的光电逸出功，有较高的量子效率。因此，现代光电阴极多采用半导体材料。 半导体有良好的光电子发射性能，其原因可归结为以下几点： 半导体中光电子发射过程经以下三个步骤进行 对光电子的吸收 光电子向表面的运动 克服表面势能的逸出 光电子只在距表面6-30nm深度内产生 需克服的表面势能 3—2光电子发射材料 光电子发射材料大体可分为三类： 纯金属材料； 表面吸附一层其他元素原子的金属和半导体材料； 用作光电管、光电倍增管和摄像管中的光电阴极。 一 光电阴极的主要参数 灵敏度 阴极光电流/入射光通量 (1)光照灵敏度（白）(2)色光灵敏度（红、蓝）(3)光谱灵敏度（λ） 量子效率：阴极发射光电子数/入射光子数 光谱响应曲线：光谱灵敏度或量子效率与波长关系 暗电流（热电子发射） 二 常用的光电发射材料 光吸收系数大； 光电子在体内传输过程中受到的能量损失小； 表面势垒低，使表面逸出几率大。金属由于其反射系数大、吸收系数小、体内自由电子多而引起碰撞损失能量大、逸出功大等原因而不适合做发射材料 大多数金属的光谱响应都在紫外或远紫外区，只能适应对紫外灵敏的光电探测器。半导体光发射材料的光吸收系数比金属要大得多，体内自由电子少，散射能量损失小，因此其量子效率比金属大得多，光发射波长延伸至可见光和近红外波段范围。 从光电子发射效应可知，一个良好的光电发射材料应具备下述条件： 1．银氧铯（Ag—0—Cs）阴极 阴极结构： 银氧铯阴极是以Ag为基底、氧化银为中间层，上面再有一层带有过剩Cs原子及Ag原子的氧化铯，而表面由Cs原子组成 （Ag—0—Cs）光电阴极的光谱响应长波灵敏度延伸至红外1．2um，并且有两个峰值，近红外800nm，紫外350nm。 光电阴极的灵敏度较低。光照灵敏度约30uA/lm，量子效率在峰值波长处也只有1％。 热电子发射密度在室温下超过任何其它实用阴极，约为10-11-10-14A／cm2， 当阴极长期受光照后，会产生严重的疲劳现象，且疲劳特性与光照度、光照波长等都有密切关系。四 碱金属与锑、铅、铋、铊等生成的金属化合物，如LiSb、NaSb、KSb等，长波限为700nm, 用于紫外和可见光。 2．单碱锑化物光电阴极 70-150μA/lm 当锑和几种碱金属形成化合物时．具有较高的响应度，其中有双碱、三碱和四碱等，统称多碱光电阴极。 3．多碱锑化物光电阴极 4．紫外光电阴极 由于紫外辐射有较高的能量，探测紫外辐射一般无困难，对可见光灵敏的光电阴极，对紫外光也具有较高的量子效率。但在某些应用中，对可见光的响应成为了探测紫外的噪声。为了消除可见光辐射的影响，希望光电阴极只对所探测的紫外辐射信号灵敏，而对可见光无响应，这种阴极通常称为“日盲”型光电阴极。 关键就在于采用合适的窗口材料，可使紫外辐射透过而射向光电阴极。 目前比较实用的“日盲”型光电阴极有碲化铯(CsTe)和碘化铯(CsI)两种，这两种材料对太阳和地表辐射不敏感。在紫外区，它们有有限宽的响应范围(100—280nm)。 三、负电子亲和势材料 1963年由Simon根据对半导体物理的研究，首先提出了负电子亲和势(NEA)理论， 1965年,Sheer和Laar在半导体技术迅速发展的基础上，用铯激活砷化镓得到零电子亲和势光电阴极，并首先研制出GaAs-Cs负