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半导体光电子器件2
二、超晶格
1.什么是超晶格？
半导体超晶格是指由
交替生长两种半导体
材料薄层组成的一维
周期性结构。其薄层
厚 度 一 般 为 50-
100Aº，层数为十几层
到几十层。
最佳技术
•分子束外延技术（MBE=Molecular Beam Epitaxy）。——
可控制到单层原子的生长。
•金属有机化合物蒸汽淀积技术（CMOCVD=Metal
Organic Compound Vapour Distillation）。
•近年来发展起来的化学束外延（CBE）和原子层外延（ALE）
技术。
已制成的超晶格材料
化合物半导体超晶格材料
Ⅲ-Ⅴ/ Ⅲ-Ⅴ,Ⅳ/ Ⅲ-Ⅴ,Ⅱ-Ⅵ/Ⅱ-Ⅵ簇
元素半导体超晶格材料 Ⅳ/ Ⅳ
已在半导体器件中有广
非晶态半导体超晶格材料 泛应用。
2.种类
成分超晶格：周期性改变相邻两薄层半导体的组分
而形成的超晶格。如：Ga Al As/GaAs
1-x x
掺杂超晶格:周期性改变同一成份各薄层中的掺杂类
型而形成的超晶格。如：NIPI（N，P，I依次代表N型
层，P型层，本征层。）
三种典型的超晶格和量子阱的能带结构
Ⅰ(a) 量子阱 b
E2- c
E1- ΔEc
E
F
E
1+ ΔE
v E
2+
GaAs GaAlAs 空穴量子阱
Ⅱ(b) 电子量子阱
E
E 2-
ΔE g2
c E
E 2+
EF
1- E ΔEv
E g1
1+ 空穴量子阱
n+-InAs P+-GaSb
Ⅲ(c)
E 量
ΔE 2-
v 子
金半结
E 阱
F ΔE
c
E
2+
HgTe GdTe
三种典型的超晶格和量子阱的能带结构
Ⅰ(a) 量子阱 b
E
2-
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