单正向栅驱动IGBT简化驱动电路.pdf

_____________________________________________________________________ 技术文章 “单正向”栅驱动IGBT 简化驱动电路 目前，为了防止高dV/dt 应用于桥式电路中的 IGBT 时产生瞬时集电极电流，设 计人员一般会设计栅特性是需要负偏置栅驱动的 IGBT。然而提供负偏置增加了 电路的复杂性，也很难使用高压集成电路（HVIC）栅驱动器，因为这些 IC 是专 为接地操作而设计──与控制电路相同。因此，研发有高 dV/dt 能力的 IGBT 以 用于“单正向”栅驱动器便最为理想了。这样的器件已经开发出来了。器件与 负偏置栅驱动 IGBT 进行性能表现的比较测试，在高 dV/dt 条件下得出优越的测 试结果。 为了理解 dV/dt 感生开通现象，我们必须考虑跟 IGBT 结构有关的电容。图 1 显 示了三个主要的 IGBT 寄生电容。集电极到发射极电容 CCE ，集电极到栅极电容 C 和栅极到发射极电容 C 。 GC GE dv/d t dv/d t C C Igc Igc Cgc Cgc Cce Cce Rg’ G Rg’ G Rg Rg Cge Cge E E 图 1 IGBT 器件的寄生电容 这些电容对桥式变换器设计是非常重要的，大部份的 IGBT 数据表中都给出这些 参数： 输出电容，C ＝C ＋C （C短路） OES CE GC GE 输入电容，C ＝C ＋C （C短路） IES GC GE CE 反向传输