《CMOS全差分超宽带低噪声放大器》.pdf

第28卷 第4期 固体电子学研究与进展 Vo1．28．NO．4 2008年 12月 RESEARCHPROGRESSOFSSE Dec．，2008 CMOS全差分超宽带低噪声放大器 鲠 罗志勇“李 巍 李 宁 杨 光 任俊彦 (复旦大学专用集成 电路与系统国家重点实验室，上海 ，201203) 2007—09—24收稿 ，2008—02一i7收改稿 摘要 ：文 中给 出了一个应用于超宽带射频接收机 中的全集成低噪声放大器 ，该低噪声放大器采用 了电阻并联 负反馈与源极退化电感技术的结合 ，为全差分结构，在Jazz0．18／zmRFCMOS工艺下实现 ，芯片面积为1．08rrtm ， 射频端ESD抗击穿电压为1．4kV。测试结果表 明，在 1．8V 电源 电压下，该LNA 的工作频带为3．1～4．7GHz，功 耗为 14．9mw ，噪声系数 (ⅣF)为 1．91～3．24dB，输入三阶交调量 ( P3)为一8dBm。 关键词 ：互补金属氧化物半导体 ；超宽带 ；低噪声放大器 中图分类号 ：TN722．4 文献标识码 ：A 文章编号：1000—3819(2008)04—554—05 A DifferentialUW B CM OSLow NoiseAmplifier IUO Zhiyong LIWei LINing YANG Guang REN Junyan (ASICSystem StateKeyLaboratory，FudanUniversity，Shanghai，201203，CHN) Abstract：A differentialultra—wideband CM OSlOW noiseamplifierthatcombinesinductive source degeneration and resistive shunt—feedback is presented． Prototype fabricated in Jazz 0．18 m RF CMOSprocessachievesamaximum powergainof15．5dB，anoisefigureof1．91dB to3．24dBwithinthe3dBbandwidthof3．1～ 4．7GHz，aninputIP3of一8dBm andanHBM ESD hardnessOf1．4kV ，whiledrawing8．3mA from a1．8V supply． Keywords：CMoS；ultra-wideband (UW B)；low noiseamplifier (LNA) EEACC：122O，2570D 大器 (INA)。 — 一 在 UWB接收机中，LNA 处于最前级，其噪声 I=I 系数对 系统 的噪声 特 性 有 直 接 的影 响。MB— 超宽带 (UWB)系统是一种低功耗、高速率的无 OFDM 标准规定射频接收前端 的噪声系数不大于 线技术 ，一方 面它可 以实现室 内 10米 范 围 内 6．6dBc引，因此 ，设计的主要难点在于低功耗宽频带 110Mbps以上的高速无线通信 ，另一方面其发射功 下有好的噪声性能 。 率小于一41．25dBm／MHz，对其它通信设备干扰很 设计 的差分 CMOS低噪声放大器适用 3．1～ 小，因此在个人局域 网(WPAN)等方面它有着广泛 4．7GHz频段 ，为系统级联前的单模块设计。文章第 的市场