热蒸发法制备ZnO一维纳米材料及表征.pdf

Y846215 摘 要 摘 要 由于半导体氧化物在光学、光电、催化、压电等领域独特而新颖的应用，半导 体氧化物的合成和应用引起了人们的极大关注。2001年王中林教授发现半导体氧化 物纳米带以后，基于氧化物的。维纳米材料成了纳米材料新的研究热点。ZnO是近 年来受到广泛关注的II一Ⅵ族半导体材料，它的一维纳米结构由于具有广泛的应用前 景而引起研究者的极大兴趣。 本文在综述目前ZnO一维纳米材料的制备方法的基础上，采用热蒸发法成功制 备出多种ZnO的一维纳米结构，讨论了其形成机理，并研究了其发光性能。取得的 主要结果女¨F： (1)用合成的纳米ZnO和石墨作为反应物，在1100C下成功合成了ZnO纳米 丝，梳子状纳米ZnO，枝状ZnO纳米丝，局部定向ZnO纳米丝和其它一些特殊的 ZnO结构。 (2)用溅射法制备ZnO前驱体薄膜的硅片作衬底，在与(1)相似的条件下，成功 的制备了两种不同形貌的阵列化纳米丝。这说明了衬底在合成阵列化ZnO纳米结构 中的重要性。通过研究气体流量、温度和反应物对制