2012_半导体物理_3_半导体中载流子的统计分布-2013-04-02.pptVIP

半导体物理学 第3章 半导体中载流子的统计分布 SCNU 光电学院 * 费米积分 EF非常接近或进入导带时： EF非常接近或进入价带时： 简并化条件 由n型简并与非简并半导体的n0/Nc与(EF-Ec)/(k0T)关系图可见：简并与非简并半导体两者n0/Nc的差别与Ec-EF的值有关，Ec-EF的大小可以作为判断简并与否的判据。 非简并：Ec-EF?2k0T 弱简并：0?Ec-EF?2k0T 简并：Ec-EF?0 n型半导体发生简并时的杂质浓度 电中性条件： 简并化条件： 发生简并时的ND与?ED有关，杂质电离能?ED越小，则当杂质浓度较小时就会发生简并。 若在杂质浓度ND时发生简并化，对一定的?ED和ND, 温度T可以有两个解T1，T2，表明发生简并化有一个温度范围T1~T2，杂质浓度越大，发生简并的温度范围越宽。 半导体物理学 第3章 半导体中载流子的统计分布 SCNU 光电学院 * 对掺P的n型Ge，P的电离能DED ＝ 0.012eV, Ge的电子有效质量mn*＝0.56m0，计算可得发生简并时的杂质浓度：ND＝3ⅹ1019 cm-3。 对掺P的n型硅，P的电离能DED ＝0.04