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场效应管工作原理 时间:2007-06-15 来源: 作者: 点击：7148 字体大小:【大 中 小】 1. 1. 11..什么叫场效应管？ FET是Field-Effect-Transistor的缩写,即为场效应晶体管。一般的晶体管是由两种极性的 载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是 由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。FET应用范围很广,但不能说 现在普及的双极型晶体管都可以用FET替代。然而，由于FET的特性与双极型晶体管的特 性完全不同，能构成技术性能非常好的电路。 2. 2. 22.. 场效应管的工作原理： (a) JFET的概念图 (b) JFET的符号 图1(b)门极的箭头指向为p指向 n方向，分别表示内向为n沟道JFET，外向为p沟道 JFET。 图1（a）表示n沟道JFET的特性例。以此图为基础看看JFET的电气特性的特点。 首先，门极-源极间电压以0V时考虑（VGS=0）。在此状态下漏极-源极间电压VDS 从 0V增加，漏电流ID几乎与VDS 成比例增加，将此区域称为非饱和区。VDS 达到某值以上 漏电流ID 的变化变小，几乎达到一定值。此时的ID 称为饱和漏电流（有时也称漏电流用 IDSS 表示。与此IDSS 对应的VDS 称为夹断电压VP ，此区域称为饱和区。 其次在漏极 -源极间加一定的电压VDS(例如0.8V)，VGS 值从0开始向负方向增加，ID 的值从IDSS 开 始慢慢地减少，对某VGS 值ID=0。将此时的VGS 称为门极-源极间遮断电压或者截止电 压，用VGS (off)示。n沟道JFET的情况则VGS (off) 值带有负的符号,测量实际的JFET对 应ID=0的VGS 因为很困难,在放大器使用的小信号JFET时,将达到ID=0.1-10μA 的VGS 定义为VGS(off) 的情况多些。关于JFET为什么表示这样的特性，用图作以下简单的说明。 场效应管工作原理用一句话说，就是漏极-源极间流经沟道的I ，用以门极与沟道间的 D pn结形成的反偏的门极电压控制I 。更正确地说，ID 流经通路的宽度，即沟道截面积， D 它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。 在VGS=0的非饱和区域，图 10.4.1(a)表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的 某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流I 流动。达到饱和区域如图10.4.2(a)所示， D 从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，I 饱和。将这种状态称为夹断。这 D 意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。 在过渡层由于没有电子、空穴的 自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的 电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过 渡层。如图10.4.1(b)所示的那样，即便再增加VDS ，因漂移电场的强度几乎不变产生I 的 D 饱和现象。 其次，如图10.4.2(c)所示，VGS 向负的方向变化，让VGS=VGS(off) ，此时 过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS 的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂 移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。 3. : 3. : 33..场效应管的分类和结构:: 场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝 缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管 中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管 MOSFET）；此外还有PMOS、NMO