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第三章 门电路 3-1 导论 3-2 分立元件门电路 3-3 TTL门电路 3-4 其它类型TTL门电路 3-5 CMOS逻辑门 门电路的分类 两大类工艺技术的特点： 速度 功耗 集成度 TTL 快 大 低 MOS 慢 小 高 目前最常用的工艺: CMOS 按封装（外形）分：双列直插、扁平封装、表面封 装、针式 +5 V T 1 R 1 R 2 T 2 T 3 T 4 R 3 R 4 Y W k 4 W .6k 1 W 130 W k 1 A D 3.3 TTL门电路 一、结构与原理 TTL非门 TTL与非门电路 二、特性 ui/V ii/mA 0 1 2 –1 IIS IIH IIL IIH —输入高电平电流(输入漏电流40?A) IIS —输入短路电流(–1.6mA) IIL —输入低电平电流 1、 输入伏安特性 F +5V ui ii 1 2、 输入端负载特性 1 F +5V Ri ui ui Rb1 T1 +5V Ri Ri较小时，uiUT，ui=“0” Ri较大时，uiUT，ui=“1” 临界时 ui= Ri+Rb1 Ri (5–Ube)=1.4 Ron—开门电阻， Ri Ron(2.5K?)，ui为高电平。 Roff —关门电阻， Ri Roff(0.85K?)，ui为低电平。 TTL门电路输入端悬空时为“1”。 i 3、输出特性 拉电流负载 (输出高电平有效) IOH IOH —输出高电平电流(拉电流400?A) 灌电流负载 (输出低电平有效) IOL IOL—输出低电平电流(灌电流16mA) “0” “1” F R 1 “0” “1” F +5V R 1 4、电压传输特性 Vi 1 F A Vo +5V R uo /V 1 2 3 4 ui /V 0 1 2 UOH UOL UOHmin Uff Uon—开门电平 (输出低电平的最大值≤ 0.8V ) U0Lmax Uon Uff—关门电平 (输出高电平的最小值≥ 2.4V) ui uo UOH UOL 理想化 UT UT —阈值电压(门槛电平) UT=1.4V 三、门电路级联： 前一个器件的输出就是后一个器件的输入，后一个是前一个的负载，两者要相互影响。 “0” “1” “0” II L IOL T4 T5 +5V T1 +5V Rb1 II L IOL T4 T5 +5V “1” T1 +5V Rb1 IOH II H 1 1 “1” “0” IOH II H 1 1 负载能力的计算 “1” IOH II H II H II H II H IOH=N?IIH N=IOH/IIH=400/40=10 “0” IOL II L II L II L II L IOL=N?IIL N=IOL/IIL=16/1.6=10 N —扇出系数 1 1 直流参数 低电平输入电流 IIL≤1.6 mA 高电平输入电流 IIH ≤40 ?A 低电平输出电流 IOL≤16 mA 高电平输出电流 IOH ≤0.4 mA 低电平输出电压 VOL≤0.4V (10个负载) 高电平输出电压 VOH ≥2.4V (10个负载) 传输延迟时间 A F A F 理想波形 实际波形 tPd1 50% 50% tPd2 tpd1—前沿传输延迟时间 tpd2—后沿传输延迟时间 平均传输延迟时间 tpd= tpd1+tpd2 2 F A 1 一、集电极开路（OC）与非门 为什么需要OC门？ 普通与非门输出不能直接连在一起实现“线与”！ F=F1?F2 T4 T5 +5V F1 T4 T5 +5V F2 F ? F F “1” “0” I T5饱和程度降低，输出低电平抬高,输出“不高不低”。 T5电流过大被烧毁。 F1 1 F2 1 OC门电路 +5V A B C T1 R1 R2 T2 R3 T5 F +VCC RC OC门必须外接电阻RC和电源VCC才能正常工作。 逻辑符号： A B F A B F OC门可以实现“线与” F=F1?F2 VCC RC F A B F1 C D F2 RC的计算方法 OC门输出全为“1”时： UOH IOH IOH —T5集电极漏电流 IIH IRC UOH=VCC –IRCRC =VCC–(nIOH+mIIH)RC RC? UOH? 当UOH=UOHmin 时： RCmax= VCC–UOHmin nIOH+mIIH VCC RC n个 m个 RC的计算方法 OC门输出中有一个为“0”时： UOL “0” “1” “1” IO