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中子的防护 主讲：崔 莹 复习 中子与物质的相互作用 按能量区分的中子种类： 二. 计算快中子屏蔽的分出截面法 第一节 快中子屏蔽的分出截面法和张弛长度法 2. 快中子在非含氢介质中的减弱 上式的使用条件： ①当材料的原子量MA27时，快中子的能量下限Ec＝1.5MeV； 当材料的原子量MA27时，快中子的能量下限Ec＝3MeV ②当离点源的距离r3λ时， ，这时分出截面法和张驰长度法相 同， 值不随距离而变化，可采用在水介质中的测量值。 如果点源具有谱分布,将能量相近的中子分组，分别计算每组快中子在介质中的减弱，然后迭加得注量为： 二. 计算快中子屏蔽的分出截面法 第一节 快中子屏蔽的分出截面法和张弛长度法 2. 快中子在非含氢介质中的减弱 对单能各向同性点源进行多层屏蔽组合屏蔽时，快中子的注量率可表示为： 式中 及 分别表示第i层屏蔽材料的宏观分出截面和厚度。这个初始注量率积累因子B，应取轻材料的初始积累因子。 三. 张弛长度法 第一节 快中子屏蔽的分出截面法和张弛长度法 中子在介质中的注量率或剂量率减弱e倍的长度称为张弛长度，用λ表示。若屏蔽层的组成均匀，在一定的屏蔽厚度内，其张弛长度近似为常数，因此，中子在屏蔽层内减弱可用张弛长度的指数规律来描述： —各向同性点源的中子发射率（中子/秒）； —初始注量率累计因子； —源至探测点的距离（厘米）； —能量为E0的中子在ri+1至ri段内的张弛长度（厘米-1） 三. 张弛长度法 第一节 快中子屏蔽的分出截面法和张弛长度法 若整个屏蔽层内的张弛长度为常数λ，则有： t为屏蔽层的厚度（厘米）； 当屏蔽层时由几种材料的混合物组成时，混合物的张弛长度用下式计算： —密度为ρi的第i种组成元素的张弛长度； —第i种组成元素在屏蔽层中的密度； 三. 张弛长度法 第一节 快中子屏蔽的分出截面法和张弛长度法 对于张弛长度法的应用的说明： （1）用张弛长度法计算的中子注量率，包括了散射中子和未经散射的中子，其概括的能量范围决定于张弛长度和积累因子适用的能量范围； （2）从中子在物质中的减弱曲线看，初始积累因子表示偏离指数形式的程度。在含氢的非均匀介质中，当屏蔽层厚度t≥3λ时，减弱曲线基本上按e-t/ λ变化，取B=1；若屏蔽层厚度在3个平均自由程（t3λ）以内，应考虑积累因子。在非含氢介质的情况下，即使在离源较远的参考点处，也应考虑积累因子。 各种材料的反应堆谱或裂变中子的张驰长度有表可查。 第二节 同位素中子源的屏蔽 一类是移动式的屏蔽容器和各种用途的辐照设备。 安全要求，除一般运输容器外，经常使用的中子源，经屏蔽后，在工作点的计量当量率不得超过2.5×10-2毫西弗/小时，并按国家规定取两倍的安全系数 屏蔽材料：除固定式外，通常可用饱和硼酸水溶液、含1.2%硼的石蜡、掺有B4C的丁苯橡胶、聚乙烯、含氢量约为1%的混凝土等；具有强γ本底的中子源，则应考虑两层屏蔽，内层用铅吸收γ射线，外层用石蜡等屏蔽中子 同位素中子源用途甚广，屏蔽方式一般分为两类： 一类是固定式屏蔽，此类屏蔽较为简单 （把源直接安装在地下，利用泥土、沙石做屏蔽材料）； 第二节 同位素中子源的屏蔽 一. 常用同位素中子源的种类和特性 目前常使用的是镭-铍源和钋-铍源， 镅-铍源亦逐步扩大应用。 一些中子源的特性 裂变中子谱，由自发裂变产生较强的γ本底 2.34×1012 （每克） 2.35 ～13.0 2.659年 自发裂变 锎252 非常大的γ本底，单能中子源 0.19×106 0.024 - 60天 （γ，n） 锑－铍 非常大的γ本底，单能中子源 0.13×106 0.83 - 14.8小时 （γ，n） 钠－铍 γ本底很低 3.2×106 4.5 10.74 462年 （α，n） 镅－铍 γ本底低 1.6×106 4.5 10.74 24400年 （α，n） 钚－铍 半衰期很短，γ本底很低 2.5×105 4.23 10.87 138.4天 （α，n） 破－铍 γ本底很强 15×106 3.9 13.08 1622年 （α，n） 镭－铍 特 点 中子产额 (中子/秒·居里) 中子平均能量（MeV） 中子最大能量（MeV） 半衰期 反应类型 种类 第二节 同位素中子源的屏蔽 一. 常用同位素中子源的种类和特性 目前常使用的是镭-铍源和钋-铍源。 镭-铍源的缺点是γ本底强，而且产生放射性氡气。故防护时，除重点考虑γ射线的屏蔽外，还要注意防止氡气漏出产生内照射的危害。 钋-铍源基本上是纯中子源，当源的活度小时，对钋-铍源主要考虑中子屏蔽。 理想的同位素中子源：不产生有害气体、寿命长、产额高、比放（单位体积的中子产额）大。 第二节 同位素中子源的屏