Alを添加したZnO薄膜の電気的光学的特性.PDFVIP

げ ~ 研 辺 鹿 報究 児 ロ 島 血 工 業 ( M 高 問 等 d 専 ) Q l d Q 日 』 司 学 校 Alを添加したZnO薄膜の電気的・光学的特性 加治屋徹実f ElectricalandOpticalPropertiesofAl-dopedZnOThinFilrns TetsumiKAJIYA Tra.nsparentconductingfilmsbasedonZnOha.verecentlybecomea.ttra.ctive鎚 sola.rcel1s組dliquiddispla.ys bec a.useoftheira.dva.nta.ges oflowcosta.ndhighsta.bility. The 0 Al・dopedZnO(AZO)thinfilmswithAh03of1，3，5wt.%wereprep訂 edona.qua.此zgl舗 sa.t350C a.tetempera.tur回 byusingtheelectronbea.mmethod，a.ndthena.nnea.ledina.irwithinthera.nge仕om ofsubstr 400to800t.Theresistivity，optica.ltra.nspa.rency，a.ndX-ra.ydi:ffra.ctionpa.tternweremeasuredtodeterminethe a.ra.tionconditionsofthethinfilms.WhenAlof3wt.%isa.dded，theminimumresistivityof・ optimumprep 84Qj口andthemaximumtr叩 spa.rencyof90%inthevisibleregionoflighta.fterannea.lingwereobta.ined. Keywords: ZnO，AZO，Electronbea.mmethod，Thinfilm，Sheetresistivity，Tra.nspa.rent electrode 1 はじめに 我々は、電子ビーム法を用いてアンドープのZnO 薄膜を作成し、シート抵抗や透過率を測定して、その 今や、各種の電子機器、例えばノート型パソコンや 作成条件が薄膜の電気的・光学的特性に及ぼす影響を調 液品表示装置等には高導電性で高透過率の性能を持つ べて報告した7)。その結果、アンドープの場合、透過率 透明電極は欠かせない存在である。その中心として用 は80%以上で十分に実用的な値が得られたが、シー いられているのは1n203にSn02を微量添加したI 0 ト抵抗は基板温度が350Cで約6kn/口という実 TO膜で、既に実用の段階に入っている。それに対し 用にはほど遠い値しか得られなかった。今回、我々は て、最近はアモーロフアスSiやCulnSe2などの A 10を添却したZnO薄膜を作成し、その電気的・ 2 3 太陽電池のための透明電極として、 A1を微量添加し