4H-SiC+PiN二极管抗辐照特性的研究.pdf

摘要 摘 要 4H．SiC PiN二极管具有很高的反向击穿电压，得益于中间的低掺杂本征层，以 及碳化硅材料的高临界击穿电场。较薄的本征层以及碳化硅的高饱和电子漂移速 度也使4H—SiCPiN二极管拥有优于硅PiN器件的反向恢复特性。碳化硅的高临界 位移能使4H．SiCPiN二极管在辐照环境下具有很强的生存能力。 目前，有关4H．SiCPiN二极管的直流与瞬态特性的抗辐射能力的报道比较有 限。本文在这方面做了一些工作，包括下列内容。 建立了4H—SiCPiN二极管的数值模型。选择适用于4H型碳化硅的材料参数， PiN二极管的直流伏安特性。器件在 采用器件模拟软件ISE．TCAD模拟了4H．SiC 穿，证明了击穿由雪崩倍增导致。 考察了4H．SiCPiN二极管的关断瞬态特性。室温下，由3V偏置转换到50伏 表现出正温度系数。 PiN二极管的直流与反向恢复特性进行了研究。 对质子与电子辐照的4H．SiC 辐射后，器件正向偏置时电流稍微下降，100A／cm2时开启电压减小，辐射对器件 PiN二极管的优 正向特性的影响微弱；反向漏电流在辐射后下降，表现出4H—SiC 良抗辐照能力。器件的瞬态特性在辐照后也表现出改善。高温下，器件的表现仍 优于辐照之前。为了进一步改善器件特性，可以考虑在钝化前用低能量的紫外光 照射器件表面，或者提高掺杂浓度。 关键词： 碳化硅PiN二极管辐照 数值模拟 Abstract Abstract Duetothe intrinsicandthe criticalbreakdownelectric low—doped layer high field， 4H—SiCPiNdiodeshave breakdown thinintrinsicandthe veryhigh voltage．The layer electronsaturationalso 4H-SiCPiNdiodesbetter 11igh gives reverse velocity recovery characteristicsoverthesilicon critical of counterparts．The11igh displacementenergy of siliconcarbidecontributestothe radiationhardness4H-SiCPiNdiodes． good Till arelimited ofthedcandtransient silicon now,there reports characteristicsof carbide diodesunderradiativeenvironment．Tllisthesis somework switching presents onthose resultsinconcern． Numericalmodelhasbeen w