SOI+RESURF原理的研究及其SOI+LDMOS研制.pdfVIP

SOI RESURF原理研究及 SOILDMoS研制 摘要 随着集成电路技术的不断发展，功率器件的研究也受到广泛关注，新型功率 器件不断涌现，特别是由于MOS栅功率器件的出现，引发了功率集成电路(PICs： Power IntegratedCircuits)的概念，即将功率器件和逻辑控制电路集成在单一芯片 上。这对于提高电子系统的可靠性和缩小系统体积是有益的。 高电压的功率器件和低电压的集成电路器件之间的隔离问题是PICs研究的 隔离工艺，可以在PICs中以较简单的工艺实现功率器件和逻辑电路之间的完全 电隔离。SOIPICs不仅较一般介质隔离PICs在工艺上更为优越，而且与结隔离 PICs和自隔离PICs相比具有更好的隔离性能。而且，SOlCMOS技术也以更小 的结面积、更好的亚阂值特性等优点，有望成为高速、低功耗和高可靠集成电路 的主流技术。因此，随着SOI材料制各技术的日益成熟，SOIPICs将成为重要 的PICs。 SOI功率器件SOI PICs的重要组成部分，其性能和工艺兼容性等直接影响 着SOIPICs的性能。国外许多科研机构与公司都在致力于此，许多SOl功率器 件已经开始走向实用化。但是目前国内在SOI器件方面的研究主要集中在抗辐 射方面，而在SOl功率器件方面尚未进行深入的探索。鉴于此，本文开展了SOI 功率器件的研究工作。主要包括： 首先，基于二维泊松方程的求解，给出了SOIRESURF(ReducedSurfaceField) 结构的解析物理模型。计算了漂移区顶层硅中表面电势和电场分布与器件参数的 关系，合理解释了表面横向电场呈u形分布的原因。根据解析模型，研究了各 个参数对于器件击穿电压的影响，解释了击穿电压随漂移区长度饱和的现象。解 析结果与MEDICI数值模拟和实验结果相符。 其次，利用共享电荷原理，更直观地解释了SOIRESURF的内在物理机制， 将其归结为水平pn结与垂直类MOS电容结构的电荷耦合，引入参数五表征 中圜科学院上海微系统与信息技术研究所博士学往论文 I SOIRESURF原理研究及S01LDbl0S研制 RESURF原理。该方法的结果与MEDIcI数值模拟和实验结果也很相符。 另外，针对SOl功率器件严重的自热效应，提出了新的图形化SOl结构。 与常规CMOS的浅沟槽隔离技术相结合，在LDMOS的源端附近开出导热通道。 通过模拟可以发现，该结构不仅能克服自热效应，而且能有效地抑制浮体效应， 可以省却体接触步骤。图形化SO／结构保留了SOl结构的优点，具有较小的结 面积和较小的泄漏电流，同样适用与高温环境。 根据上述研究结果，结合碳纳米管场发射应用的要求，采用SIMOX材料进 行了版图和工艺流程设计，进行流片实验，对器件进行了测试和分析，成功制备 了关态击穿电压50V和开态击穿电压20V的SOILDMOS。 最后，针对目前叠层栅介质的TDDB测试中漏电流的计算，用等效势垒的 方法替代传统的WKB方法，清楚直观的描述了电子在叠层栅介质中的输运行为， 对于预测和解释叠层栅介质失效机理提供了理论依据。 关键词：SOIPICs，功率器件，RESURF原理，TDDB，等效势垒 11 中圜科举院上海微系统与信息扶术研宽所博士学住论文 Abstract onSOIRESURF and Study Principle FabricationofSOILDMoS Abstract the With of novel deviceshave developmentIC(Integrated Circuit)，manypower been