MgO衬底上大积Tl-2212高温超导薄膜均匀性分析.pdfVIP

摘要 摘要 本论文的主要工作是解决大面积高温超导薄膜的均匀性问题。采用计算机 模拟和实验验证相结合的方法，找到了在直径三英寸(约75哪)的衬底上制备 上生长了＆a缓冲层，制各出高质量的T卜2212高温超导薄膜。 件。我们采用RF磁控溅射沉积＆q薄膜。在溅射靶与衬底之间的距离为40mm， 溅射气压为3Pa(Ar／O。混和气)，溅射功率为120瓦的条件下，衬底的温度在400 ℃一780℃之间变化。当衬底温度≥700℃时，Qq薄膜为外延C轴取向生长， 符合了制备高质量T卜2212高温超导薄膜的要求。 然后，分析溅射粒子的运动规律，得到溅射粒子在衬底所在平面内的沉积 速率分布满足正态分布规律。通过实验，考察了在溅射靶与衬底之间的距离为 40mm，溅射气压为3Pa，溅射功率为120瓦的条件下，溅射粒子在衬底运动平面 上的沉积速率的分布情况，确定溅射粒子沉积速率分布的解析函数。再利用计 算机模拟了衬底在不同运动方式下，其薄膜厚度的分布情况，进而找到制备均 匀薄膜所采用的最佳衬底运动方式。然后在80×15唧2载波片上，在上述制膜条 件下，利用模拟所得到的衬底运动方式溅射了＆q薄膜，其均匀性比较好。 层，衬底温度为700℃，溅射时长15分钟。再利用异位两步法在上述M90衬底 上制备了T卜2212高温超导薄膜。利用xRD的口一2口，摇摆曲线和≯扫描分析了 该薄膜的晶态结构及取向情况。表明该薄膜是外延c取向薄膜。 利用无损电感耦合法测得样品的超导转变温度Tc=103．4K，四探针法测量得 到样品在零场，77K下的临界电流密度Jc=2．37×106～cm2。 关键词：Tl一2212高温超导薄膜，粒子分布，射频磁控溅射，计算机模拟 Abstract AbStract Themain oft11isdissenationsolVed oft11e purpose homogeneouspmblemlarge method area minfilm，The simulation lli曲-temperaturesuperconductingcomputer andthe orderto100kforakindofmovememofsubstrates experimentu11ified，in way inches to deviationis5％inthicknessinthediameterthree ensure血at Mean—Square filnls．And T1—2212 75mm)t11in 11i曲一quality 11i曲teHlperature (印proximately thinfilmh删ebeen on bu行ered supercon“cting pr印ared5×10mm2＆D2MgD substrates(001)． Firstof had100kedformebestconditionto bufrer all，we prepare(■D2layers on5×10mm2 thinfilmsweretaken outusingRF