光泵浦半导体垂直外腔表面发射激光器芯片研制和性能研究.pdf

摘要 化项缇，带隙能量计算结果与实验数据吻合较好。通过不同温度下光致发光半 峰全宽的变化验证了应力随温度变化对量子阱发光峰的影响。 5、制备了高质量的1064nm波长OPS-VECSEL芯片材料。通过优化工艺 和精确控制，分布布喇格反射镜(DBR)中心波长反射率达到99．5％以上，实现 应变量子阱激射波长、谐振腔的谐振波长与反射镜反射谱的中心波长三波长对 准，实现了芯片材料的受激发光。在国内首次实现了1064nm波长OPS．VECSEL 芯片材料的生长。 关键词：半导体多量子阱分子束外延光泵浦半导体垂直外腔表面发射激光器 应变补偿 Abstract Abstract 111is dissertationisfocusedonthe semiconductorvertical opticallypumped externalsurface wells cavi