第七章-塑性变形.pptVIP

第七章 § 7-1 单晶体的塑性变形 一、弹性变形 二、塑性变形 三、滑移 四、滑移的位错机制 2．滑移的位错模型 位错的来源 滑移的位错机制 3．位错运动的点阵阻力 4．作用于位错线上的力 5．位错的增殖 6．位错的攀移 7．位错的交割 五、孪生 3．与滑移的区别 六、扭折 七、单晶体应力-应变曲线 § 7-2 多晶体的塑性变形 二、变形织构 三、位错亚结构 五、塑性变形对金属性能的影响 § 7-3 合金的塑性变形 二、多相合金的塑变 3．第二相强化机制 （2）位错切过机制 ▼ 螺－螺位错的交割 仅有 形成刃型位错段：A?B?＝b2，C?D?＝b1。 A?B?的滑移方向与b1平行，不在原滑移面，为不可滑移割阶，只能发生攀移运动。 C?D?的滑移方向与b2与平行，但仍处于原滑移面，为扭折。 ▼ 刃－螺位错的交割 形成可滑移割阶：A?B?＝b2，但沿另一晶面滑移。 形成扭折：C?D?＝b1，仍在原滑移面，可消失。 ? 带割阶的位错运动 ? 可滑移割阶： 一般不在原位错滑移面上，增加了带此割阶位错的滑移阻力。 ? 不可滑移割阶： 被原位错拖拽运动，只能发生攀移，对位错运动阻碍很大。 (1) 带小割阶位错的运动 小割阶：1～2个原子间距范围。 发生运动的条件：高温、大应力作用下，可发生攀移运动。 运动过程：AB沿滑移面运动拖拽A?B?攀移，留下一串空位或一串间隙原子。 (2) 带中割阶位错的运动 中割阶：10～20个原子间距范围。 位错滑移，足够长的异号位错形成刃型位错环。位错环也可能分解为小位错环。 (3) 带大割阶位错的运动 大割阶：20～30个原子间距范围。 A?B?被钉扎的两段位错相距较远，各形成L型位错源。 1．现象 孪生：两部分原子沿特定晶面均匀切变形成镜面对称位向关系的过程。 条件：低温、变形速率较快、滑移系较少。 组织形态：孪晶。 2．形成机理 ? 滑 移 孪 生 变形方式 位错运动 原子面切变 机制 全位错滑移 不全位错滑移 晶体位向 不变 镜面对称取向 晶体运动晶面 滑移面 孪生面 产生一个原子间距变形量需要晶面数 一个 多个 发生变形的每个晶面变形量 不均匀 均匀 显微组织特征 拉长晶粒 孪晶 变形所需应力 小 大 引起的塑性变形量 大 小 作用 塑变主要方式 塑变辅助方式 有些单晶体在滑移和孪生变形均不易进行时，可能发生扭折。 在外力平行于hcp单晶体(0001)时，m＝0，滑移面切应力?＝0，滑移无法进行。若孪生也无法进行，则会出现扭折。 扭折带： 扭折形变区本质上是滑移面上位错在局部地区集中所引起的晶格弯扭。 形态：类似弯曲的孪晶。 作用： 调整晶体取向，使滑移和孪生能够发生。 与多晶体工程应力-应变曲线不同。 ? 易滑移阶段 初始变形软取向滑移系启动，位错运动所受阻碍因素少，应力稍有增加即可引起较大应变，硬化系数较低。 ? 线性硬化阶段 切应变达到一定程度后，由于滑移系的转动而发生多滑移，位错相互缠结、交割或阻碍，使得硬化系数迅速增大。 ? 抛物线型硬化阶段 一些螺型位错滑移被阻碍后发生交滑移至另一滑移面，使得滑移重新变得容易进行，故硬化系数又有所降低。 一、晶界在塑性变形中的作用 晶界因素。 1．位错塞积 位错源产生的位错受晶界阻碍。 塞积位错排斥位错源放出的同号位错，使位错源开动困难，增大了滑移阻力。 2．协调变形 塞积应力通过晶界作用于相邻晶粒滑移系，造成相邻晶粒滑移系启动。 变形时相邻晶粒位向转动方向不同，在晶界附近产生切变，依靠晶界协调。 每个晶粒至少有五个滑移系同时开动才能满足多晶体协调变形条件。 fcc及bcc滑移系较多，容易满足晶粒之间协调变形的自由度要求，因而塑性变形能力较高。hcp滑移系较少，塑变能力较低。 3．细晶强化 金属晶粒越细，晶界面积越多，晶界阻碍位错滑移作用越大，越不易塑性变形，使屈服强度升高。 用Hall-Patch公式表达晶粒平均直径d 与?s 的关系为： 注意： ? 单晶体中?s＝ tk / m，?s是变量。多晶体中?s为常数。 ? 细晶强化往往造成材料的韧化。 ? 细晶强化不适用于高温。 问题：已学过的细化晶粒方法有哪些？ 变形织构： 在经受较大变形后，大部分晶粒位向优先沿某晶向接近平行排列的晶体学特征。也称晶粒择优取向。 出现变形织构后，各晶粒位向相近，故多晶体也出现各向异性。 ? 拉拔变形形成的变形织构方向与外力轴向平行，称丝织构； ? 压缩变形形成的变形织构方向与外力轴向垂直，称板织构。 ? 有些金属在退火过程中也会造成晶粒的择优取向