等离子体离子注入表面改性和磁控溅射成膜的计算机模拟的研究.pdf

摘要 近年来，等离子体技术在工业领域得到了广泛应用，等离子体物理的理论研究 ■ 也受到越来越多的关注，计算机模拟，作为实验，理论研究以外的第三种研究手 段，能够解决传统解析方法所无能为力的多维复杂问题，成为进行等离子体理论研 究的有力工具。 本文针对两个等离子体应用技术的物理过程进行了数值模拟研究：第一部分为 BasedIon 等离子体基离子注入(Plasma (PIC．ParticleinCell simulation)；第二部分为等离子体磁控溅射成膜过程的计算 机数值模拟。 一．PBII过程的计算机模拟研究 建立了等离子体鞘层扩展的粒子模型，模拟了完整脉冲时段内的PBII过程。选 ● 取有限尺寸的平板靶和凹槽形靶作为典型形状工件分别进行了研究。文中详细介绍 了等离子体粒子模型的建立及其数值求解过程，研究了等离子体鞘层的形成及其扩 展的动力学行为，分析考察入射离子流密度、入射离子角度与能量在靶表面的分 布；讨论了靶尺寸，靶形状，等离子体密度及脉冲宽度对靶表面入射离子各参量以 ofIonsinMatter)1”】软件中 及入射离子保留剂量分布的影响；结合TRIM(Transport 的全碰撞多能量计算模型，模拟计算了注入离子在靶表面及进入靶后的碰撞传输过 程，研究了改性层中注入离子的浓度深度分布。 模拟表明，鞘层内电场受到靶形状尺寸的影响而呈不均匀分布，并且随着脉冲 的推进，鞘层与靶的保形性逐渐变差。靶的形状、尺寸会对鞘层结构及其扩展方式 产生很大的影响，并影响鞘层内的离子密度分布。鞘层内不均匀的电场，决定了加 速于其中的离子的运动特性，对靶表面的注入参量产生一定的影响。在靶形状和鞘 ● 层形状差异较大的部位，如平板靶边角处或凹槽侧壁，离子由于自身的惯性，其运 动轨迹的曲率小于电力线的曲率，最终以倾斜的入射角注入靶表面。这种非垂直入 射，会降低离子射程，增强溅射效应和背散射效应，进而降低保留剂量和入射离子 深度。 通过建立等离子体粒子模型对PBII注入过程及注入结果的变化规律进行研究， 可以深入理解PBII的物理本质，对优化PBIII艺规程从而达到预期的表面改性效果 具有一定指导意义。 二．等离子体磁控溅射成膜的计算机模拟研究 采用多尺度模拟的方法，对等离子体磁控溅射沉膜的全过程进行了模拟研究， ● 包括模拟等离子体的产生、靶体材料的溅射刻蚀，溅射原子的碰撞传输以及宏观薄 膜沉积过程，观察了靶材在不同磁场分布下的刻蚀形貌，考察了成膜过程的各项参 数，包括背景气体压强和溅射靶．基板间距，对最终薄膜宏观形貌的影响。 incellandMonteCarlo 首先利用PIC．MC(Particle Simulation)模拟方法来模拟 直流等离子体放电的发生过程，得到轰击靶材的入射离子流密度分布和能量角度分 布；然后利用这些已得到的数据计算靶体材料的溅射产额，得到靶体刻蚀剖面曲 线；再通过MC碰撞模拟方法模拟溅射原子在背景气体中的碰撞传输过程，跟踪原 子运动轨迹；最后得到沉积在基板上的宏观薄膜形貌图。 模拟结果表明，在与磁场方向平行的靶表面处，等离子体放电离子流密度较