电容式RF+MEMS开关动态过程的电磁干扰的研究.pdfVIP

摘要 同传统的FET管和PIN开关管相比，电容式RF MEMS开关具有损耗低、直流功耗小、隔离度 高、易于集成等许多优点，其在微波及毫米波控制电路中具有广泛的应用前景。随着研究的深入以及 技术的发展，电容式RFMEMS开关的可靠性理论越来越完善，但是仍然存在一些未解决的可靠性问题， 其中开关动态工作过程中的电磁干扰问题还没有人研究过。 电容式RF MEMS开关在工作过程中，由于驱动电压的施加和撤消以及开关膜桥的上下运动， 电容极板间变化的电场会产生磁场，从而形成变化的电磁场，乃至向外辐射电磁波。另外这里产生 的变化电磁场可能会对开关共面波导(CPW)上的RF信号产生影响，甚至也会对开关周围的高频 电路和器件产生电磁干扰影响，所以必须要对开关产生的电磁场进行建模分析才能确定其产生的电 磁干扰影响有多大。 本文首先对电容式RF MEMS开关的等效电路研究，动态模型研究以及可靠性研究进行综述， 这是本文研究工作的基础。接着，本文对开关膜桥建立了一个准确的一维动态模型，包含了机械力， 静电力乃至空气阻尼力对膜桥运动的影响。并分析了膜桥在下拉阶段和秆放上升阶段的运动曲线， 发现膜桥的机械运动时间在lOFts量级，尤其在上升阶段中如果膜桥的品质因子高于一定值时，膜桥 会在初始位置附近发生阻尼振动现象。 在开关膜桥的动态运动模型的基础上，开关的驱动信号为方波信号时，可以把开关工作过程分 成四个阶段分别进行分析：(1)开关电容充电阶段；(2)膜桥下拉阶段；(3)开关电容放电阶段；(4)膜桥 被释放，恢复剑初始位置阶段。并通过麦克斯韦方程建立了各个阶段中产生的电磁场模型。从电磁 场模型中可以发现，充电阶段和下拉阶段产生的电磁场都是脉冲磁场(脉冲宽度分别为1．48×104邶 X10。邺)，而膜桥上升阶段由于没有驱动电压，因此该阶段的电磁场和电磁干扰非常小可以忽略。 从电磁场的量级上看，开关电容充电和放电阶段的量级最高，分别为106A／m和104A／m，而下拉阶段 的磁场量级相对较小为6A／m。 通过单元面叠加法数值模拟验证了本文电磁场模型的正确性，其中开关极板内磁场的最大相对 误筹仅为8．6％。并且根据模型验证的结果和误差分析，对现有的电磁场模型作了进一步的修正和完 善，提高了其在开关电容极板之外的区域的准确性。 在建立的电磁场模型的基础上，本文还分析了开关产生的两种电磁干扰：传导干扰和辐射干扰。 在传导干扰中，干扰最为严重的是开关电容放电阶段对RF信号产生了频率为29．34GHz的高频谐振 噪声信号，会严重影响RF信号上加载的信息的准确性。而辐射干扰义包括磁场感应干扰和电磁波 辐射干扰，这两种都是开关可能会对周围电路和器件造成的电磁干扰。其中磁场感应干扰强度最大， 造成的干扰，而电磁波辐射干扰是开关电容的边缘电场所产生的，相对较小，但是也不能忽略其对 开关周围高频电路的干扰影响。 最后提出了对开关设计的一些改进和建议：(1)驱动信号的优化，适当增加驱动信号的上升沿和 下降沿时间；(2)增加噪声过滤电路，可以过滤掉大部分的电磁干扰信号，不过对丁：和RF信号频率 接近的高频噪声需要特殊的处理电路；(3)对开关进行封装，可以有效的对开关向往辐射的电磁干扰 波和外界传播进来的电磁干扰波进行衰减和屏蔽。通过采取这些措施，开关的电磁兼容性可以获得 极大的提高。 关键词：电容式RFMEMS开关，动态过程，电磁场，电磁干扰 Abstract withtraditionalFETandPINtransistor RFMEMSswitcheshavelow Compared switch嚣．capacitive DC tobe behavioretc loss，low power powerloss，highisolation，easyintegrated,perfecthighfrequency willbe usedinmicrowaveandmillimeter-wavecircu