考虑量子效应的纳米MOS器件阈值电压及其栅电容的建模和模拟.pdfVIP

摘要 摘 要 众所周知，实现社会信息化的关键是各种计算机和通讯机，但是其基础都是 微电子产品。目前，微电子产业的核心是 MOS 集成电路，自 20 世纪 60 年代以 来，集成电路的发展一直遵循着 1965 年 Intel 公司的创始人之一 Gordon E. Moore 预言的集成电路产业的发展规律：集成电路的集成度每 3 年增长 4 倍，特征尺寸 每 3 年缩小 2 倍。四十多年来，为了提高电子集成系统的性能、降低成本，器 件的特征尺寸不断缩小，制作工艺的加工精度不断提高，硅片的面积不断增大， 同时，集成电路的性价比也迅速提高。现代电子学中使用的MOS 器件实际上是 基于互补金属氧化物半导体 （Complementary Metal Oxide-Semiconductor, CMOS ） 工艺的，这种技术由于同时具有低功耗和高集成度的特点，已经成为微电子技术 的主流。IC 芯片的特征尺寸也已经从 1978 年的 10um 进入到了纳米尺度。据预 测，在 21 世纪前半叶，微电子产业仍将以尺寸不断缩小的硅基 CMOS 工艺技术 为主流。 随着集成度的不断提高，器件特征尺寸的不断减小，研究其面临的技术挑 战和物理问题业已成为当前迫切而重要的课题。为了理解器件缩小进程中的极 限，必须对纳米器件进行建模和模拟，重新评估器件的性能。而纳米器件建模和 模拟的研究主要体现在纳米器件的电学参数的分析与建模，本论文的主要工作就 是研究了阈值电压的量子效应以及有效栅电容的量子效应。 当 MOSFET 的尺寸不断减小，反型层中二维量子效应不容忽视，它会引起 MOSFET 的阈值电压发生变化。通过大量的模拟发现纳米器件的量子效应可以 归纳为两类：一类是垂直沟道方向的载流子发生量子效应；另一类是沿沟道方向 的量子效应。本文就是根据改进后的三角势阱场近似，首先考虑垂直沟道方向的 一维量子化效应，求解了波函数和分离能级的表达式，然后基于第一能级的近似， 提出了一种基于物理的阈值电压解析模型；接着基于 WKB 理论，考虑沿沟道方 向的量子隧穿效应，将该方向的量子效应换算成对第一分裂能级的影响，重新定 义了第一能级的边界，然后根据有效态密度的概念，计算了二维量子效应导致的 阈值电压漂移量，并给出了解析表达式。 I 考虑量子效应的纳米 MOS 器件阈值电压及栅电容的建模与模拟 随着 MOSFET 尺寸的不断缩小，为了减小短沟效应，采取了增加沟道掺杂 浓度和减薄氧化层厚度等一些措施。因此，其反型层和积累层中的量子效应对栅 电容的影响也被广泛研究。近期，多晶硅中量子效应也被关注，数值模拟的结果 表明了栅电容进一步减小。若同时考虑多晶硅栅中量子效应和反型层中量子效 应，那么将会得到更加精确的纳米 MOSFET 有效栅电容模型。我们先利用数值 模拟的结果和最小二乘法曲线拟合，对多晶硅栅中的量子效应进行解析建模，并 定量研究栅电极电容对有效栅电容的影响，接着对反型层中量子效应进行分析， 基于改进的三角势阱求解薛定谔方程，得到反型层电子离开 Si—SiO2 界面的距 离，将之等效为栅氧化层的增大，并对由此产生的表面电容进行解析建模，通过 计算和模拟分析反型层中的量子效应与有效栅电容之间的定量关系，最后，同时 考虑栅电极电容和表面电容，从而就可以得到比较精确的有效栅电容的模型。 关键词：纳米 MOSFET ，阈值电压，栅电容 II Abstract Abstract As we all know, the key to achieve development of the information society is all kinds of computers and communications machines which are all based on micro- electronic products. At present，The core