单、双频激发的容性耦合等离子体诊断实验的研究.pdf

单、双频激发的容性耦合等离子体诊断实验研究 单、双频激发的容性耦合等离子体诊断实验研究 中文摘要 低气压下的容性耦合等离子体(CCP)技术在现代微细加工过程中发挥着重要作 用。在半导体工业生产中，需要对薄膜进行各向异性刻蚀。基于等离子体放电的干法 刻蚀工艺在这一过程中发挥了不可替代的作用。由于集成电路特征尺寸的不断减小和 集成度的持续提高，以及待处理基片面积的不断增大，对等离子体加工技术提出了更 高的要求。容性放电的特性研究是目前产学界共同关注的热点，人们对包括新型的双 频容性耦合放电在内的各种放电方式进行了研究。在这种放电方式中，人们希望通过 一个高频来控制等离子体的产生，另一个低频则用于控制离子轰击能量，从而实现离 子通量、能量的独立控制。由于等离子体的复杂性，目前容性放电中仍有许多问题有 待研究。 本文通过使用朗缪尔探针、悬浮双探针以及发射光谱技术，对单频及双频CCP 放电进行了实验研究。 1．对低气压Ar等离子体放电建立了一个碰撞辐射模型，主要考虑了电子碰撞激 发、电离、自发辐射等过程。在低气压下，亚稳态的扩散损失是一个重要的损失机制。 考察了了各激发态对电子温度、密度等参量的依赖关系。发现电子密度、温度的增加 有利于各激发态密度的提高，但对辐射态、亚稳态的影响有所不同。结合发射光谱与 探针测量，对13．56MHz单频容性耦合放电进行了诊断，发现模型计算与探针获得的 结果符合的较好。‘ 2．双频CCP中较低的低频频率以及各种倍频、混频等会对传统的朗缪尔探针产 生强烈的干扰以致无法工作。在固定气压为5Pa的条件下，我们使用了悬浮的双探 针与发射光谱对13．56／2、27／2、41／2、60／2MHz不同频率组合的双频激发的舡等离 子体容性放电进行了实验研究。发现低频的施加使电子温度立即迅速上升，随后基本 保持稳定；电子密度则首先略下降，随后持续上升。随着高频频率从13．561VⅡIz提高 至60MHz，这一趋势逐渐变弱，表明较高的高频频率有利于高、低频之间的解耦。 am谱线强度随低频功率的增加 对13．56MHz以上的高频，光谱结果显示心的750．4 中文摘要 单、双频激发的容性耦合等离子体诊断实验研究 先略增强，随后持续下降。对探针与光谱结果之间的不一致行为进行了分析，认为高 频的升高将引起电子能量分布函数的转变，在低频功率施加之后表现了出来。 研究了41／2MHz的时的容性放电中气压的影响，结果显示电子温度总体上随 气压上升而下降。电子密度随着气压的增加而先上升后降低。在高气压下，较大的低 频功率使电子温度显著降低。这被认为是放电模式(0【模式和Y模式)发生转变所导致 的。随着气压的升高，不同低频功率的施加对电子能量分布产生了不同的影响。 MHz双频组合的氮气容性放电 3．使用悬浮双探针和发射光谱对60／2、60／13．56 进行了实验研究。发现在高气压下，60／13．56MHz和60／2MHz双频放电特性出现了 显著不同。在60／2MHz放电中，在高气压和大的低频功率条件下，电子密度和光谱 强度出现了反常增强。通过对电子密度、温度及光谱强度的分析，认为此时发生了放 电模式的转变，导致基态氮离子N2+∞密度的升高及随后氮离子谱线的反常增强。激 发态氮离子N2+(B)主要来自于电子对基态氮离子N2+()()的激发。 通过拟合转动光谱计算了N2的双频放电中分子、离子的转动温度。随着低频功 率和气压的增加，分子、离子的转动温度都呈上升趋势。60／2MHz放电中离子温度 明显高于60／13．56MHz放电，而不同低频对分子转动温度的影响不大。讨论了不同 低频对离子温度的影响。低频为2MHz时，N2+离子能够响应电场变化被有效加热， 因而温度较高。 关键词。容性耦合等离子体；碰撞辐射模型；朗缪尔探针；双探针；发射光谱 作 者：虞一青 指导教师：宁兆元辛煜 n 单