多频等离子体放电的实验的研究.pdf

多频等离子体放电的实验研究 中文摘要 多频等离子体放电的实验研究 中文摘要 双频容性耦合等离子体（DF-CCP ）可以有效地处理材料，用于制造超大规模集 成电路而备受关注。通过DF-CCP 和感应耦合等离子体（ICP ）有效结合，有望产生 更高密度的等离子体的同时，可相对独立地控制离子的轰击能量，而成为热点。本文 依托实验室自行研制的一种新型等离子体源——感应耦合增强双频容性耦合等离子 体放电系统（ICP/DF-CCP 混合放电系统），利用补偿朗缪尔探针诊断技术、发射光谱 技术和示波器技术，研究了ICP/DF-CCP 混合放电的特性。并初步考察了该放电系统 等离子体放电特性在材料处理中的实际效果，得到如下结果： 1. 选择 L 型匹配电路中的标准型作为该装置中所有射频电源的匹配器电路结 构，其实际效果证明能实现平稳放电。借助示波器系统研究表明，60/13.56 MHz DF-CCP 和13.56MHz ICP 在1-70mTorr (1mTorr≈0.133Pa) 内氩气混合放电，线圈中射 频电流波形随气压的变化，其部分原因可能是由于等离子体串联共振加热随气压降低 而得到增强。由此得出，气压的改变会引起放电中的容性加热机制产生较大变化。线 圈功率保持不变时，气压上升导致线圈电压和电流的数值逐渐变小。 2. 利用补偿朗缪尔探针和发射光谱技术研究了 60/13.56MHz DF-CCP 和 13.56 MHz ICP 氩气放电中，1-50mTorr (1mTorr≈0.133Pa) 内的不同气压对等离子体特征参 量（电子温度Te 和电子密度Ne ，等离子体空间电位Vp ，悬浮电位Vf ）、EEPF、发 光光强的影响。研究表明，混合放电在仅改变ICP 功率时，气压越高，电子密度Ne 增幅越大，电子温度 Te 则下降越快；气压越高，等离子体空间电位 Vp ，悬浮电位 Vf 却下降越快。1-50mTorr 气压区间DF-CCP 放电下，EEPF 为比较明显的双麦克斯 韦分布结构，再加上ICP 功率进行混合放电后，普遍转变为类麦克斯韦分布。用发射 光谱仪观察到了非常明显的E-H 模转换时光强的变化。E 模时发光微弱，H 模时光强 会是E 模时的两到三个数量级。 3. 利用补偿朗缪尔探针技术和 Druyvesteyn 方法对 30mTorr(1mTorr≈0.133Pa)下 I 多频等离子体放电的实验研究 中文摘要 60/13.56MHz DF-CCP 和13.56MHzICP 氩气混合放电的研究表明，此装置在DF-CCP 放电的基础上增加了ICP 放电，可以同时使用ICP 和CCP 两种方式产生等离子体， 达到了增强放电提高等离子体密度和更精确、独立控制等离子体密度和离子能量的目 的。该装置还保留了原有DF-CCP 径向位置的均匀性较好的特性，不过目前仍需进一 步改善。混合放电中，电子密度Ne 、等离子体空间电位Vp 在随ICP 功率增大的过 程中，其数值在某功率区间下的明显变化均表明发生了E-H 模转变。这一转变在EEPF 图中则反映在分布形状从双麦克斯韦分布转变为类麦克斯韦分布上。EEPF 中的这种 变化是电子- 电子碰撞得到增强造成的。 4. 选择具有应用前景的太阳能电池掺铝氧化锌（AZO ）薄膜进行了混合放电下， 不同高低频功率以及引入ICP 功率前后的氩等离子体处理。表明，低频功率的增加， 有效地提高了薄膜的表面绒面形貌。进一步说明，低频功率是有可能有效调控离子能 量的。而高频功率对薄膜的表面形貌有一定的影响，但不是很大。还发现ICP 功率的 引入会对薄膜表面形貌造成很大的影响。 关键词：浸入式单线圈；感应耦合等离子体；容性耦合等离子体；郎缪尔探针； 等离子体表面处理 作者：柏洋 指导教师：吴雪梅 诸葛兰剑