PECVD制备氮化硅薄膜地研究进展.docVIP

毕业设计（论文） （ 2013 届） 题 目 PECVD制备氮化硅薄膜的研究进展 学 号 1003020147 姓 名 钟建斌 所 属 系 新能源科学与工程学院 专 业 材料加工及技术应用 班 级 10材料（1）班 指导教师 胡耐根 新余学院教务处制 目录 摘要 1 Abstract 2 第一章 氮化硅薄膜的性质与制备方法 3 1.1 氮化硅薄膜的性质 3 1.2 与常用减反射膜的比较 4 1.3 氮化硅薄膜的制备方法 6 第二章 工艺参数对PECVD法制备氮化硅减反膜性能的影响研究 9 2.1 温度对双层氮化硅减反膜性能的影响 9 2.2 射频频率对双层氮化硅减反膜性能的影响 10 2.3 射频功率对双层氮化硅性能的影响 10 2.4 腔室压力对氮化硅减反膜性能的影响 11 2.5 优化前后对太阳电池电性能对比分析 12 第三章 结论与展望 14 参考文献 16 致 谢 17 PECVD制备氮化硅薄膜的研究进展 摘要 功率半导体器件芯片制造过程中实际上就是在衬底上多次