IGBT的电热学特性研析.pdf

摘要 摘 要 Gate Bipolar 绝缘栅双极晶体管(Insulate 功率晶体管结合而成的达林顿结构。它既具有MOSFET的输入阻抗高、控制功率小、 驱动电路简单、开关速度高的优点，又具有双极功率晶体管的电流密度大、饱和压降低、 电流处理能力强的优点，因而被认为是一种可用于需要高压、大电流和高速应用领域的 理想功率器件。要满足高压大电流的发展趋势，IGBT器件需要进行模块化。目前，模 块电热性能是IGBT进一步发展需要考虑的主要因素，也是目前IGBT模块生产中急待 解决的问题。因此，本文对IGBT器件的电热学特性进行了研究。 首先，本文对IGBT器件的结构和工作原理进行了简要的介绍，并给出了该器件工 作时闭锁效应的解决方案。在此方案的基础上，提出了一个建立IGBT器件工艺模型的 设计方案。在设定的电学参数条件下，来选择合适的掺杂浓度及厚度。利用模拟软件 设定的相关参数吻合得很好。 其次，通过解热传导方程，建立了IGBT器件在热稳定状态下的二维温度分布模型。 通过此模型，得出了IGBT热阻的计算公式。结合此公式，通过对IGBT器件功率损耗 的公式推导，得到此器件的结温公式。在无法测得结温的情况下，给出了一个通过工艺 参数确定结温的方法。 最后，在热稳定状态下二维温度分布模型的基础上，结合IGBT电学模型，分析了 IGBT在热稳定条件下的的临界条件，以及热稳定因子与温度、热阻、栅压、P阱掺杂 浓度的关系。模型结果与二维数值模拟软件MEDICI的模拟结果基本一致。 关键词：IGBT，热稳定因子，结温，工艺模型 Abstract Abstract InsulateGate a structurewhich BipolarTransistor(IGBT)isDarlington composedby MOSFETand transistor．Ithas asMOSFET’S bipolarpower manyadvantages．such high drive inputimpedance，lowpowergatedrive，simplecircuit，high switchingspeed，bipolar transistor’Scurrent saturation high densitycapability,low current voltage，highprocessing itisanidea devicetomeetthe trendof capability．Andpower developingmanyhighvoltage， currentand switch is ofmodularizationfor Kgh high speed．Itnecessary IGBT．At present． electro—thermalbehaviorsofmodulearemainfactorsforthe ofIGBT．Sothe development workofthi