与cmos工艺容的硅基perl型led的研究.pdfVIP

摘要 由于硅为间接带隙材料，体硅的带间辐射复合率相当低，因而不具有良好的 光学特性。考虑到硅材料的工艺、技术以及经济效益等因素，近年来对于硅基发 光的问题做了广泛的研究，出现诸如多孔硅发光、纳米硅发光、GeSi／Si多量子 阱发光、硅P．n结位错环发光等硅基发光结构，但是这些结构具有电．光转换效 率较低，工艺不能与CMOS工艺兼容，且光衰减严重等缺点。本文的主要目的 就是克服这些缺点，设计一种既能与CMOS工艺兼容，又具有较高发光效率的 全硅基LED。 本文通过分析硅基PERL型太阳能电池性能及设计特点，得出其具有较高光 电转换效率的关键设计技术，结合光电转换可逆性原理和p-n结发光管物理模型， 运用黑体辐射理论，设计出硅基PERL型LED器件结构，实现能够与硅基CMOS IC相结合的单边侧面小面积发光的结构。并对该器件工艺进行设计，得到能与 CMOS工艺兼容的工艺路线。 本文中对提高电光转换效率至关重要的倒金字塔结构出光面的化学制备进 行了研究，采用TMAH和KOH+IP久两种腐蚀剂进行制备实验iTMAH系统在 浓度为5％、时间30min、温度70℃时可得到致密的、均匀性良好的倒金字塔结 构，且光反射系数可达到8％的低值。KOH+IPA系统在KOH浓度为2％、时间 40min、温度75℃时可得到致密的、均匀性良好的倒金字塔结构，且光反射系数 可低至9％。 本文从理论分析入手，应用太阳能电池中的关键设计技术，实现硅基PERL 型LED的结构设计，完成与CMOS工艺兼容的工艺路线设计，并对倒金字塔出 光面的化学制备进行了探索，优化了制备工艺的条件和参数。 关键词：硅基发光二极管；硅基pn结正向注入；光陷阱；光反射系数；各向异 性腐蚀；PERL Abstract Siliconis asa emitterof toits regarded notoriouslypoor fundamentally,due indirectband semiconductormaterial．Howeveritsmature gap considering microelectronics andeconomic andmore manufacturingtechnology advantage,more researcherstake effortsto its as luminescence huge improve characteristics，such silicon well emission,GeSi／Si porous multi—quantumemission，silicon p-njunction dislocation a1．Butthesestructuresallhavesome like emission，et disadvantages，just low conversion withCMOS electron-to-photonefficiency,theprocess incompatible the attenuation．Sothis we o