《从硅芯片到软件 - 设计低能耗嵌入式系统 第一部分 硅芯片选择》.pdf

从硅芯片到软件- 设计低能耗嵌入式系统 第一部分 硅芯片选择 简介 设计低能耗系统时，我们需要关注一些非传统因素，这些因素涉及范围从硅芯片生产工艺 技术，到基于单片机的嵌入式平台上所运行的软件。通过对系统层面的深入分析，本文讨 论决定 MCU 能效的三个关键参数：工作模式功耗、待机模式功耗和占空比（他决定各种 状态下所占用的时间比率，由软件自身来决定）。 低能耗待机状态使 MCU 看上去具有超高能效，但事实是，只有考虑了控制工作模式功耗 的所有因素后才能决定MCU 的能效状况。总之，对于处理工艺、IC 架构和软件结构选择 的权衡是十分微妙的决定因素，有时会出现意想不到的结果。此外，单片机上功能模块相 结合的方式对整体能耗加以动态影响。即使对硬件实现看似小而轻微的改变，都可能会导 致系统运行周期中整体能耗的大幅波动。 低能耗应用 举几个应用示例。测量和报警系统通常由单电池供电，并具有约 10 年的生命周期。在传 感器读取操作上 （在产品生命周期中可能发生几亿次），小小的电流消耗增长就可能会导 致产品的实际使用寿命减少几年。而一个简单的烟雾报警器，需每秒检测一次空中烟雾粒 子是否存在，在其生命周期中将要执行3.15 亿次读取操作。 简单烟雾报警器的工作比例或占空比是相当低的。每次传感器读取操作可能花费时间不超 过几百微秒，而大部分时间都消耗在其他方面，包括：校准和准备过程，单片机唤醒模数 Silicon Laboratories, Inc. Rev 1.0 1 转换器（ADC ）和其他感应模拟器件，并等待其达到稳定状态点的时间。在这种情况下， 工作周期可能导致设计中的非活动状态时间大约占总时间的99.98 ％。 传统的烟雾报警器比较简单。我们来看一个更复杂的 RF 设计，此设计中，数据结果通过 传感器网状网络传输到主机应用中。传感器需要监听主节点的工作状态，由此他可以发信 号表明自己仍然在网状网络中，或者为路由器提供当前所捕获信息。额外的工作不一定会 影响整个占空比，相反，在活动周期中，使用更高性能的装置还可以执行更多功能，因为 高性能装置提高了处理速度（可通过使用更先进的架构和半导体技术实现），与运行更多 周期的慢速装置相比，快速装置具备更高能效。设计关键在于理解工艺技术、MCU 架构 和软件实现之间的相互作用。 第一部分：硅芯片选择 CMOS 能耗分布 2 几乎所有的MCU 都通过CMOS 技术实现。任何工作逻辑电路的功耗可由公式CV f 决定， 其中：C 代表装置中开关电路路径上的总电容，V 代表供电电压，f 代表操作频率。参见 图 1，电压和电容是生产工艺技术相关的因子。在过去的三十年中，CMOS 逻辑的片上操 作电压已经从 12V 下降到 2 V 以下，同时晶体管体积也大大缩小。因为电压在工作功耗 方程式中是二次函数，因此使用较低电压将对功耗带来显著的影响。 图1：CMOS 逻辑架构及开关过程中的能耗 Silicon Laboratories, Inc. Rev 1.0 2 电容作为可使总功耗降低的一项因子，虽然是线性，也大大受益于摩尔定律。对于给定的 逻辑函数来说，更先进的生产工艺可提供比之前更小体积的电容，并且可获得更低的功耗。 此外，还有一种先进的设计技术可以降低整体开关频率，这种技术被称为时钟门控。 与其他技术相比，CMOS 可以极大降低能源浪费，但同时存在漏电损耗。与工作模式功 耗相比，漏电损耗以摩尔定律速率来增加，在所有低能耗应用中都要加以考虑，因为他与 低占空比系统的非工作时间成正比。然而，和工作模式功耗一样，电路设计对真实漏电损 耗产生动态影响。类似时钟门控，功率门控也能够大大减轻漏电损耗的影响，采用更多先 进工艺的节点是低占空比系统的更好选择，即使是旧的工艺技术也可以获得更低的理论漏 电损耗量。 适用的生产工艺技术 每一个特性集都有合适的生产工艺技术。关键在于，当装置长时间处于休眠模式时，仅仅 依赖一种具有最低理论漏电损耗的生产工艺技术是不够的。在休眠模式，可以禁止为 MCU 中大部分部件供电，把漏电组件排除在方程式之外。当电路处于工作模式，漏电损 耗是一个大问题，