InGaAsSb／AIGaAsSb长波长多量子阱激光器有源区的优化设计.pdfVIP

维普资讯 第53卷 第 1期 2004年 1月 物 理 学 报 Vo1．53，No．1，January，2004 1000．329O／20()4／53(01)10218—08 ACq[A PHYSICA SINICA ⑥2004Chin．Phys．Soc． InGaAsSb／AIGaAsSb长波长多量子阱激光器 有源区的优化设计* 徐月4毅 李爱珍 (中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ，信息功能材料国家重点实验室，上海 200050) (2002年 12月26日收到 ；2003年4月 14日收到修改稿) 系统地研究了波长为 2．7m的 InGaAsSb／A1GaAssb多量子 阱激光器 中有源 区的优化设计 ．分别用含应变势 的6 带 KP模型和抛物带模型计算价带和导带的能带结构，并得到薛定谔方程和泊松方程的 自洽解 ，由此计算量子阱在