多孔硅的表面处及其对光致发光性能的影响.pdfVIP

摘要 摘 要 多孔硅在室温下可以发射很强的可见光，所以它在半导体照明和光电集成方 面具有很大的应用前景。但是当多孔硅存放在空气中时，多孔硅的发光强度会逐 渐减弱，于是多孔硅发光的不稳定性成为多孔硅在应用过程中最大的障碍。本文 采用一系列新颖的表面处理方法，对多孔硅光致发光性能进行改善，处理后的多 孔硅发光强度显著增加。 本论文研究了不同活性的低能(800ev)离子辐照对多孔硅发光性能的影响。 在氩离子辐照的情况下，辐照后的多孔硅光致发光(PL)发生猝熄，而当把辐照之 后的多孔硅存放在空气中，PL会发生恢复，但最终恢复的强度低于原始多孔硅 的发光强度。PL的猝熄是由于辐照使多孔硅表面产生了缺陷，这些缺陷作为非 辐射复合中心使PL发生猝熄。PL的恢复与Si．H键的背键氧化有关；在氮离子 辐照的情况下，PL性能的变化与氩离子辐照类似，但是PL恢复的强度强于原始 多孔硅，这与辐照过程中形成的Si-N键有关；而在氧离子辐照的过程中，Si．H 键被辐照的氧离子氧化，多孔硅表面形成一层欠氧的氧化层SiOx(1X2)，多 孔硅PL性能的变化与氩离子、氮离子辐照不同，这主要与氧化层中的氧缺陷有 关。 存放环境对辐照后多孔硅的发光性能有很大影响，本论文从表面化学键的角 度对该问题进行了研究。离子辐照后的多孑L硅存放在水和乙醇溶液中，由于抑制 了Si-H键的背键氧化，使多孔硅发光强度不能完全恢复。 本论文尝试用退火的方法，在氮离子辐照前破坏多孔硅表面的Si．H键，希 望为氮离子提供更多可以反应的硅悬键。试验结果表明，本文采用的退火工艺不 能够破坏多孔硅表面的Si．H键。 另外，本论文还尝试用超声分散多孔硅层的方法制备硅的纳米颗粒，含有硅 纳米颗粒的丙酮溶液具有超强的蓝光发射。 关键词：多孔硅离子辐照傅立叶红外光谱光致发光硅纳米颗粒 Il ABSTRACT ABSTRACT is asa Poroussiliconshows visibleluminescenceandregardedpotential strong in materialforilluminationand stored integration；however，asair， photoelectric of the photoluminescence(PL)intensityporoussilicon(PS)decreasesgradually，and PL hasbecomeanobstructiontothe ofPS．Aseriesof instability practicalapplication inthis thePL of thePL were thesistO PS，and adopted properties techniques improve is enhanced． intensitysignificantly irradiationon Thisthesi