多晶felt,3gt;olt;,4gt;薄膜及其复合结构的微观结构、磁性质和输运特性.pdf

中文摘要 隧道型磁电阻(TMR)来源于颗粒薄膜中的铁磁颗粒或者是隧道结中的铁磁性 电极间的自旋相关隧穿效应，并与隧穿电子的自旋极化率成正比，因此人们一直 在致力于寻找具有高自旋极化率的材料。半金属材料中的输运电子具有100％的自 旋极化率，是比较有希望在自旋电子学器件上得到应用的自旋注入材料。在几种 类型的半金属材料中，由于Fc304具有高居里温度、低沉积温度以及可以超薄成 膜等优点，更成为近年来自旋电子学领域的研究热点之一。 本论文采用对向靶直流反应溅射法制备了多晶Fe304薄膜、Fe30VAI(Mo)双层 膜和zn、Mn掺杂的Fe304薄膜，对它们的微观结构、化学成份、电阻率、磁电 阻、磁学性能以及霍尔效应等进行了系统的研究。 在基底不加热的条件下，用对向靶反应溅射法在氩气和氧气的混合气氛中制 备了多晶Fe304薄膜。结构分析发现薄膜中晶粒呈柱状生长，大小均匀。室温下 多晶Fe304薄膜在50kOe的磁场下磁化强度为296em“cm3，远远小于块体材料 的饱和磁化强度值(471emu／cm3)，而且没有达到饱和。低温下，带场冷却的磁滞 回线有交换偏置现象，但当温度升高到200K左右时交换偏置消失。在外场为90 kOe的磁场下，薄膜的磁电阻仍然不饱和，在80K达到一11．7％。随着温度的升高 磁电阻降低，室温时仍然能达到-7．4％，是日前已报道的较大的磁电阻值。在多晶 Fe304薄膜中存在大量的反相边界(APB)。由于APB的出现，薄膜中存在强反铁磁 耦合，导致薄膜的磁化强度降低、低温下出现交换偏置现象和比较显著的磁电阻 效应。研究发现多晶Fe304薄膜中电子的的输运机制为相邻颗粒问的隧穿效应。 emu／cm3， Fe304(300nm)／A1双层膜，30mn厚的Al衬层可以使磁化强度达到450 几乎接近块体值，而随着衬层厚度的增加，磁化强度基本稳定在该值附近。对 Fe30dMo双层膜，磁性增加的效果不如Fe30VAl双层膜显著，30nm厚的Mo衬 层使双层膜中的磁化强度增加到422 emu／cm3，这是因为在Fe30dlVlo双层膜中出 现了反铁磁性的Fq(M004h。对于双层膜来说，低温带场冷却磁滞回线的测量中 发现了交换偏置场的大小明显低于单层膜。通过对磁性增大的物理机制进行研究 发现，金属衬层显著抑制了薄膜沉积过程中结构缺陷和界面非晶层的形成，从而 使多晶Fe304薄膜的饱和磁化强度增大。 用反应溅射法在多晶Fe304薄膜中进行了第三种元素掺杂，通过常温磁滞回 线的测量发现掺杂使磁性减弱。在ZnxFe3．x04薄膜中，随着掺杂量在0．075到0．19 之间逐渐升高，其室温磁化强度(在／／=-50kOe的外场下)从216em：11，cm3升高250 件下的室温磁化强度从240emu／cm3升高到287cmu／cm3，但是掺杂样品的磁化强 说，低温带场冷却磁滞回线的测量中都发现了存在交换偏置现象，原因是颗粒外 部存在自旋无序的磁结构。另外，对Zn,Fe3籼薄膜，磁电阻比未掺杂的Fe304 薄膜略有降低，但MnxFe3籼薄膜的磁电阻几乎为零，所以我们认为Zn。Fe3籼 仍然是半金属，而MnxFe3．x04已经丧失半金属特性。 关键词：半金属、多晶四氧化三铁薄膜、Fe304／AI(Mo)5双层膜、交换偏置、磁电 阻、掺杂 n ABSTRACT effect to The ofTMRisbelieved fromtheelecton origin spin-dependenttunneling in filmsand tunnel andcorrelateswiththe granular magneticjunctions spinpolarization of materialswith are tobe electrons．Therefore，the