Allt;,3gt;Ilt;,ngt;lt;#39;mgt;团簇的结构稳定性和H在MgHlt;,2gt;表面的吸附扩散的研究.pdfVIP

Al I m 团簇的结构稳定性和H 在MgH 表面的吸附扩散的研究 13 n 2 摘 要 采用第一原理的CASTEP 软件，对顶点型Al I m(n=1-12, m= -1,0,+1) 团簇的 13 n 成键特性和H 在MgH2 表面的吸附与扩散特性进行了计算。第一原理的CASTEP 软件是一种基于量子力学的专门为固体材料科学研究所设计的程序包，采用密度 泛函理论（DFT ）赝势平面波方法，能够很好地探索半导体、陶瓷、金属、矿物 质和硅酸盐等材料的的晶体和表面性能，典型的应用包括研究材料的表面化学、 结构性质、能带结构、态密度和光学性能。 针对实验中发现的顶点型 Al I - 团簇的稳定性因 n 的奇偶变化存在振荡现 13 n 象，本文对顶点型Al I m(n=1-12, m= -1,0,+1) 团簇的能量、几何结构和电子机制 13 n 进行了仔细地研究。结果表明：优化团簇结构后发现 Al I m 团簇中的Al 部分 13 n 13 不能保持优化前的正二十面体对称结构。结合能与能量二阶差分的计算结果表 明，Al I 和Al I - 团簇在n 为偶数时相对n 为奇数稳定；而Al I + 团簇则在n 13 n 13 n 13 n 为奇数时较稳定。垂直电子分离能（VDE ）显示Al I 和Al I - 团簇在n 为偶数 13 n 13 n 时核外电子趋近于满壳层排布。电子态密度和电子密度差分图揭示了Al I - 团簇 13 n 的稳定性变化不仅受核外的电子排布影响，而且与Al 和I 之间的成键特性有很 大关系。 在本文的第二部分，对H 原子和H2 分子在MgH2 完整表面和缺陷表面的吸 附以及H 原子在表面层中的扩散进行了理论研究。结果表明：(1) H 原子在表面 的吸附分为物理吸附和化学吸附两种。与完整表面相比，缺陷表面对悬浮在其附 近的 H 原子有更强的吸引作用。这种现象的原因是相对于前者表面上的 H ，后 者表面上的Mg 对悬浮H 原子有更强的吸引。(2)H2 分子在表面的吸附只能是物 理吸附。和H 原子在两种表面的不同表现相似：在完整表面，和悬浮H2 分子相 II Al I m 团簇的结构稳定性和H 在MgH 表面的吸附扩散的研究 13 n 2 互作用的是表面上的H 原子；而在缺陷表面，和悬浮H2 分子相互作用的是表面 上的Mg 原子。作用对象的不同，导致了悬浮H2 分子在真空层是否旋转。(3)对 H2 分子被化学吸附到含有空位的缺陷表面进行过渡态计算，结果发现：只要克 服一定的能垒，H2 分子可以以分子形式被吸附到表面，并使其中的一个H 原子 占据空位。但是，这种吸附结构是不稳定的。(4)表面上最容易形成空位；只要 克服较小的能垒，空位可以在晶体中扩散，即 H 原子能够在晶体中的空位间迁 移。这也使球磨中产生的空