Ni掺杂ZnO磁半导体的制备与表征.pdfVIP

摘 要 本文采用湿化学法制备了具有室温铁磁性的Ni掺杂ZnO稀磁半导体纳米材料，使 其同时具有电子的电荷属性和自旋属性，在高密度非易失性存储器、磁感应器、光隔离 器、半导体集成电路、半导体激光器和自旋量子计算机等领域有广阔的应用前景．我们 利用PPMS系统，振动样品磁强计、x射线衍射仪、透射电子显微镜、x射线电子能谱 仪、电子能量损失谱、扫描电子显微镜等分析测试手段，研究了Ni掺杂zrIo纳米颗粒 的微观结构特征、磁学特性、组成成分等特点，以及退火处理后的这种纳米颗粒结构、 性能等的变化情况。 实验结果表明，以乙酸镍，乙酸锌为前驱物，以四甲基氢氧化胺为沉淀剂，在水浴 条件下可以制备出Ni掺杂ZnO稀磁半导体纳米颗粒。并且在室温条件下，1％的Ni 元素掺入ZnO就可以表现出很明显的铁磁性。通过透射电镜的测试分析，没有发现这 种样品中有其他有磁性的物质存在，因此，磁性的来源可能是由于Ni掺杂所引起的。 将这种样品分别在600℃、900℃下退火处理，发现纳米颗粒的形貌发生了变化，而且 磁性增强了几十倍。这时，样品中发现有立方结构的Zn掺杂NiO纳米颗粒的存在。 综上所述，在水热条件下，以乙酸锌、乙酸镍为前驱物，以四甲基氢氧化胺为沉淀 剂，通过在水溶液中的反应，可以制备出具有室温铁磁性的Ni掺杂ZnO稀磁半导体纳 米颗粒。对这种稀磁半导体进行退火处理，会改变它的形貌，使磁性增强几十倍。 关键词：湿化学法；Ni掺杂znO；稀磁半导体；磁性 Abstract Inthis ZnOdiluted semiconductorshas thesis，room-temperatureferromagneticNi-d01)ecl magnetic been the ina wetchemicalmethod．Withthe offreedom synthesizedby charge鲫dspindegrees single ZnO has for as phase，Ni2+dopednanocrystalsignificantpotentialapplicationspintroniematerials，such gas矾mso培，operational diodes(spin electronics。 spin-dependentlight-emittingLEDs)，Vm讧to格，lransp村ent surface acousticwave materialsandsolarcells．The transducers，window devices，piezoelectric displaying ZnO a∞characterizedtransmissionelectron as-preparedNi-dopednaoocrystals using loss Diffraction energydispersivex-rayspectrometer但DS)，electronenergyspectroscopy(EELS)，x-ray Raman O(RDXx-rayphotoelectronspectroscopy(xPs)，andspectmscopy．111eirmagrmticproperties黜 studied a measurement