PECVD沉积氮化硅薄膜热处理性质研究.pdfVIP

浙江大学硕十论文姚日英 PEcVD沉积的氮化硅薄膜热处理性质研究 摘要 氮化硅薄膜是一种多功能材料，在许多领域有着广泛的运用：在微电子材料 及器件生产中，氮化硅作为钝化膜、绝缘层和扩散掩膜：硅基太阳能电池中，氮 化硅用作钝化膜和减反射膜；在硅基发光材料中作为硅纳米团簇的包埋母体等 等。热处理是氮化硅薄膜在这些实际应用时都经过的一道工序，可以给薄膜带来 许多有益的影响。 本文在系统综述氮化硅薄膜的性质、应用及多种制备方法的基础上，应用 PECVD(等离子体增强化学气相沉积)系统，以硅烷和氨气为气源，在不同衬底温 度和不同硅烷氨气流量比下制备了氮化硅薄膜。然后在氮气气氛下对薄膜进行不 同时问、不同温度的常规热处理，通过激光Raman谱、傅立叶变换红外光谱 探讨了热处理对薄膜的内部结构和性质的影响，获得了一些基本的数据，为氮化 硅薄膜实际应用时设计热处理工艺参数提供系统的信息和科学依据。 首先，本实验利用PEcVD设备，在流量比Si地：NH3=l：3，功率为20w，不同 衬底温度loo℃～350℃下制备了氮化硅薄膜，测试结果表明所制备的薄膜是富 硅薄膜，si：N。1．5：1，是以Si3N2为单元的网络结构；薄膜中含有丰富的键合H， 以Si H，N—H的形式存在，随着沉积温度的升高，H含量逐渐降低，薄膜趋于致密 化。 对上述薄膜热处理后，发现800℃的热处理温度是使薄膜结构发生质变的临 界温度，此时薄膜中形成了Si的纳米团簇；而且薄膜沉积时的温度越高，在其 后续热处理过程中越容易形成非晶纳米Si团簇并晶化：热处理温度足够高(900、 1000℃)时，随热处理时间的延长，薄膜结构发生连续性变化，由Si—Si2N2结构 到Si—si3N结构再到Si—Si4结构形成Si团簇。 最后，我们还在衬底温度300℃，功率为20w，NH3／siH4，流量比分别为】：1， 3：1和6：1的条件下沉积的氮化硅薄膜，并对其进行1100℃、2h的热处理，发现 薄膜中的氮含量随着NH3／SiH4／流量比增大而增加，而随着薄膜内氮含量的增加， 薄膜形成硅团簇越少。 热处理；硅团簇 【关键词】PEC＼，D；氮化硅薄膜； 浙江大学硕士论文姚日英 PEcVD沉积的氮化硅薄膜热处理性质研究 Abstract Asakjndofmulti一劬ctional materials，Siliconnitridetllinfilm usedin is研dely fields．InthemallufacturcofmicroelectroIlicmaterialsand many devices，silicon ni砸dethinfilmisusedas mask’In a11ddiffIlsion me passivatingfiIm，insulationlayer fabricationofs01ar nimdeminfilmisllsedas a11d cell，silicon passivating矗lm fihn．Inthe of1uminescentmaterialbasedon anti-reflectingpfoduction silicon，silicon n“rideisusedasembedmatIixofsilicon nanometerclusters．Asweal