Ti-Si-Ni-Si-Al-N纳米结构薄膜的制备与性能研究.pdfVIP

大摘要 Ti-Si-N/Ti-Si-Al-N 纳米结构薄膜 的制备与性能研究 大摘要 通过在薄膜中掺杂一种或多种其他元素改善或提高薄膜性能，如硬度或热稳定性 等，是一种提高薄膜性能的有效方法，而以TiN 体系为基础，掺杂第三种或更多种元 素以提高硬度硬度、抗氧化能力等是目前的研究热点之一。 本文采用多靶反应磁控溅射法以不同工艺参数分别制备了 TiN 、Ti-Si-N 、 Ti-Al-Si-N 复合单层薄膜，考察氮气流量、溅射功率、基底负偏压和基底温度对 TiN 薄膜的微结构以及沉积速率的影响，Si 原子百分含量对Ti-Si-N 复合单层薄膜的微结 构、晶粒尺寸、力学性能和高温抗氧化能力的影响，Al 原子百分含量对Ti-Al-Si-N 复 合单层薄膜的微结构、晶粒尺寸、晶格常数、力学性能和抗高温性能的影响。在此基 础上，选取适当的工艺参数，分别以Ti-Si-N 和Ti-Al-Si-N 为调制层制备不同调制比 的纳米多层膜，分析其微结构和力学及高温性能，并与单层膜作对比，讨论其机理。 实验结果表明，在本实验条件下： [1] 对TiN 薄膜，有： 在 100W～220W 的溅射功率，Ar ：N ＝10：1.5～10：8 的体积流量比、常温～ 2 300℃的基片（底）温度以及0～-250V 基片（底）负偏压的工艺范围内，参数的改 变对TiN 薄膜的微结构无明显影响，薄膜呈TiN(111)和TiN(222)择优取向；增加Ti 靶的溅射功率和基底负偏压可以提高薄膜的沉积速率，氮气流量的增加降低沉积速 率。 表明TiN 薄膜可以在很大的制备工艺范围内保持微结构的稳定性。 [2] 对Ti-Si-N 复合膜，有： 薄膜的沉积速率随Si 靶的溅射功率增加而增加。 Si 的加入将使TiN 晶粒细化，薄膜表面趋于平整，Si 含量在0～4at%范围内，晶 粒尺寸随Si 含量增加缓慢下降；Si 含量在4～12at%范围内，晶粒尺寸随Si 含量增 加而急剧下降； Si 含量超过12at%后，晶粒尺寸缓慢减小。 Si 含量在0 增加到约7at%时，薄膜硬度比TiN 薄膜的仅升高了3GPa 左右；含 量在 7～18at%时，薄膜硬度增加比较快，从约 22GPa 快速升高到 37GPa ；含量在 18～22at% 区间内薄膜硬度达到峰值区，约39GPa ；Si 含量再增加时，硬度迅速减小 然后趋于稳定；利用模型计算 Si3N4 层的厚度最大值≤0.8nm，表明复合膜硬度的增 加有可能是Si N 层在TiN 的模板作用下发生晶化的结果。 3 4 Si 的加入改善了薄膜的抗氧化性。当含量低于约7at%时，随着Si 含量的增加， 薄膜抗氧化能力显著提高，可以达到约700℃；当Si 含量大于7at%时，随着Si 含 大摘要 量的增加，薄膜抗氧化能力缓慢提高，Si 含量为 12.88at%的Ti–Si–N 氧化温度仅提 高到为750℃。含量在7at% 以上时，薄膜可以获得优异的抗氧化性。 [3] 对Ti-Al-Si-N 复合膜，发现： 可以通过控制Al 靶溅射功率控制薄膜的Al 含量；薄膜沉积速率与Al 靶溅射功 率近似呈线性增加关系； Al 含量的增加将导致薄膜微结构发生明显变化，XRD 图谱显示，含量较低 （≤6.48at% ）时薄膜以(Ti，Al)N 相为主，择优取（111）面，含量在约10at%以上时， 出现h-AlN 相； Al 的加入将导致晶格常数和晶粒尺寸下降； Al 含量在5~10at%间薄膜具有最高的硬度，硬度的增加可能是薄膜形成固溶强化 或固溶强化与Si 在晶粒间形成Si N 而强化两因素共同作用的结果。 3 4 Al 的加入可以把薄膜的抗氧化温度提高到900℃左右，但含量较高时易导致薄膜 在