有机无机复合抗电薄膜合成、结构表征及应用特性研究.pdfVIP

摘 要 在科技日新月异的今天，各种电子消费品在生活中所占比重越来越大，电子 污染尤其是危害最大也最隐蔽的电磁辐射几乎无处不在，不仅会诱发人体癌细胞 增殖，还会导致心血管系统疾病。电磁辐射的产生原因很多，静电场是其中较常 见的原因之一，因此有众多科研人员致力于抗静电材料的开发。涂镀于制品表面 的抗静电薄膜是赋予制品抗静电性能的有效方法，采用纳米技术改性的复合抗静 电薄膜也成为当前的研究热点。 国外日本、韩国的大公司如日立、东芝、三星等从上世纪80年代开始显示 器用抗静电薄膜的研究，制备出商用抗静电溶胶并垄断相关知识产权；国内由于 导电材料、成膜材料等核心性关键材料的制备技术未能实现突破，应用的抗静电 溶胶几乎全部依赖进口。本课题分别采用水热法、溶胶．凝胶法制备导电材料、 抗静电溶胶及复合薄膜，进行了相关的基础理论及应用技术研究；开发出的抗静 电溶胶和薄膜已在多家企业产业化应用，打破了国外技术封锁，实现替代进口； 相关技术突破还可在电子、印刷、石化等多行业推广。本文的主要工作包括以下 几个方面： ‘—)纳米导电材料的制备与性能研究 采用水热法，以锡、锑的无机盐SnCh·5H20、SbCh为原料，实现了粒度均 匀、导电性能优良的Sb掺杂二氧化锡纳米粉(ATO)的可控制备，揭示了Sb掺 杂量、热处理工艺过程对ATO纳米粉体粒度及导电性能的影响规律。 研究发现，ATO粉体粒度随sb掺杂量的增加(2％到40％)而逐渐减小(由 几十nm降低为几nm)；粉体的电阻率随sb掺杂量的增加先降低后升高，并在 掺杂量为ll％时达到最低值0．012f2-cm；粉体电阻随热处理温度的升高而不断降 低，并在6000C达到最低值后趋于稳定。晶粒生长分为三个阶段：低温阶段(300～ 4000C)、中温阶段(400～6000C)、高温阶段(600。C以上)。 (二)导电薄膜的醇解法制备及性能研究 采用醇解法，以锡的无机盐(无水SnCh)为前驱体，制备出掺杂sb的sn02 溶胶以及ATO薄膜，探讨了该导电溶胶的水解．聚合机理，系统研究了sb掺杂 对导电薄膜结构及导电性能的影响。 研究发现，以无水SnCi4为前驱体、醇解法制备的Sn02溶胶，在温度小于 2000C时前驱体的水解产物之间不发生聚合反应而主要以单体形式存在，当温度 常温200C下，该sn02溶胶具有很高的稳定性，胶凝时间大于110天，有利于工 业化生产和应用。Sb的掺杂对ATO薄膜中sn02晶粒的生长有阻碍作用。随sb 的掺杂的增加，ATO薄膜中载流予浓度和迁移率均呈现先增大后减小的变化规 载流子迁移率达到最大值2．55cm2N·S；随sb的掺杂的增加，ATO薄膜的电阻率 先减小后增大，在8％掺杂量时达到最低值0．048Q·em。 (三)成膜材料Si(h溶胶的制备及特性研究 以硅酸甲酯为原料制备si02溶胶，揭示了低浓度体系下反应参数的动力学 影响规律并建立了相应的理论模型。总结出成膜工艺参数和溶胶物性对薄膜硬度 控制的基本规律。 研究发现，前驱物浓度c、加水量f、陈化温度T等反应参数对低浓度体系 下si02胶凝时问l叠的动力学过程的影响规律符合以下理论模型 fg=1662 在玻璃上硬度可达7H～9H(铅笔硬度)。 (四)复合抗静电溶胶、薄膜的制备及应用研究 创新性地将有机物聚噻吩PEDT溶胶作为导电材料，与si02溶胶复合制备 出抗静电溶胶及薄膜，揭示了有机．无机复合的PEDT--Si02抗静电薄膜的导电 机理，实现了复合薄膜的较高光学透过率。研究发现，随PEDT含量的增加，薄 膜导电性能呈三阶段变化，与导电复合高聚物的变化规律相似，复合薄膜的透过 率(550nm波长下)呈线性趋势下降。较长陈化时间的si02溶胶制备的复合薄 膜具有更高的“途渗阈值”。 本课题的研究成果己在宁波际荣电子股份有限公司实现规模生产，产品在上 海永新彩色显像管有限公司和咸阳彩虹电子股份有限公司使用后，各性能均以达 到国外同类产品水平。 关键词：抗静电有机无机复合薄膜溶胶．凝胶 Abstract Inrecent in kindsofelectronics great technology，all years，withdevelo