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ANDNGTB30N60L2WGCN/D NGTB30N60L2WG IGBT的高速开关 低 VCE(sat)应用 概要 此次开发的 * NGTB30N60L2WG为 FS2 -IGBT系列产品之一, 是同 时实现了高速SW与低VCE(sat)的IGBT。 一般认为在选定器件时, 首先应该以Ic的最大额定值为基准, 但实际 上有必要着眼于电气特性上记载的VCE(sat)值或者Icpeak值。 VCE(sat)值是直接影响应用电气产品的工作效率的重要数值, Icpeak 为 表示实际使用可能领域的数值, 因此, VCE(sat)值与I ｃpeak值为选 应用资料 定器件时的重要参数。 ＊关于FS2, 请参照Section 4的说明。 1. IGBT的电流规格与实际性能 Ic额定值为IGBT的规定规格之一。Ic额定值一般表示为Tc=100C下 的电流值。 另一方面, 由于IGBT使用于各种能量变换电路, 故损失小很重要。作 为损失大小的指标有 VCE(sat), 该值越小, 在减少损失方面越有利。 ・VCE(sat)值的比较 1 Fig.1: Ic额定值为30A的NGTB30N60L2WG与他社的Ic额定值为30A品的VCE(sat)比较。 VCE(sat) comparison @Ic=30A 3 NGTB30N60L2WG 2.5 is the lowest VCE(sat) 30N60L2 A A 0 2 B 3 = c I C @ 1.5 ] V D [ ) t 1 a E s ( E F C 0.5 V G 0 IGBTs Fig.1 VCE(sat) comparison 从Fig.1可看出, NGTB30N60L2WG为额定值30A的IGBT产品当中VCE(sat)值最低的产品。该特性对于作 为开关素子被使用的IGBT来说非常重要。IGBT的C-E间电流流通时的损失为PVsatloss＝VCE(sat)×Ic [W] 可以认定: VCE(sat)值越低, 损失越小。 © Semiconductor Components Industries, LLC, 2015 1 Publication Order Number: July 2015- Rev. 0 ANDNGTB30N60L2WGCN/D ANDNGTB30N60L2WGCN/D ・VCE(sat)值的比较 2 此外, 和 Ic额定值比NGTB30N60L2WG高的他社IGBT 进行了VCE(sat)值的比较。横轴为Ic额定值, 纵轴为 Ic=30A时的VCE(sa