第1章導論.pptVIP

BioMEMSChapter 3 Standard Microelectronic Technologies 3-1 Metals 3.1.1金屬的物理及化學性質 金屬材料屬無機材料，分為： 純金屬 合金 摻雜金屬 金屬材料原子間鍵結： 金屬材料導熱及導電性佳、機械強度高 3-1-2 Metallisation Evaporation Sputtering 3-2 Semiconductors 3-2-1 半導體性質 半導體材料為無機材料，有： IV族元素： III-V族元素化合物： II-VI族元素化合物： 半導體原子間鍵結： 在某些溫度範圍為導體，某些溫度範圍為絕緣體 3-2-2 Growth and Deposition Growth 拉晶器（puller,Czochralski） Deposition ( 磊晶 epitaxial ) 氣相磊晶（VPE） 分子束磊晶（MBE） 3-3 Ceramics. Polymer, and Composites Ceramics 無機材料 金屬與非金屬材料形成的化合物，屬離子鍵結或共價鍵結 高硬度、高耐熱、抗磨耗 Polymer 有機化合物 原子結構為長鏈分子或網狀結構 絕緣性 Composites 多種材料結合而成 3-4　晶圓製造 晶柱成長 磨入指向標誌 切片 蝕刻 拋光 磊晶 3-5-1 標準BJT製程 標準BJT製程：二極體製作 3-5-2 MOS製程 加強模式橫向n-通道MOSFET的製作 SOI CMOS（以絕緣層為基板之MOS元件製程） 3-6 晶粒的mounting與packing 四種基本mounting技術比較 封裝方式比較 3-6 電路板技術(Printed circuit board technologies) Solid Board 材料 結構 Flexible Board 材料 結構 Plastic Moulded 材料： 結構： Hybrid and MCM 技術 材料： 製造方法 嵌黏在陶磁 (混合) PCB上的ISFET感測器 含TABMCM 球柵陣列封裝技術 * * 矽岩＋煤炭 冶金級矽 電子級矽 SiCl4 + H2 Si 0.2?1.0 0.1?1.0 0.2?2.0 0.1?0.25 N/A N/A N/A 1150?1225 1025?1100 1100?1175 950?1050 摻雜型式 n n p SiCl4 SiH2Cl2 SiHCl3 SiH4 AsH3 PH3 B2H6 矽源： 四氯矽烷 二氯矽烷 三氯矽烷 矽烷 摻雜氣體:： 砷化氫 磷化氫 乙硼烷 沉積速率(μm/min) 沉積溫度T (?C) 化學式 源/氣體 氣相磊晶的矽源與摻雜物 3-5　IC 製程 nMOS和pMOS (金/複晶矽閘極) 3 2或3 nMOS或pMOS 1 1 介電層/接面 n-p-n，p-n-p (橫向/垂直) 5或更多 5或更多 介電層/接面 可能的元件： 電晶體 二極體 電阻 電容 0或1 3 7 0 2 5 1 5 7 製程複雜度： 磊晶沉積 擴散/氧化循環 製程中使用罩幕數 低 低 高 低 低 低 中等 高 低 低 高 高 低 高 高 電路特性： 切換速度 功率損耗 元件密度 電流 電壓 CMOS nMOS或pMOS 雙載子 源/氣體 標準IC製程技術相對效能 標準BJT製程：電阻製作 標準BJT製程：電容製作 加強模式縱向n-通道MOSFET的製作 高速低功率IC 氣體感測FET 0.8 100010 1.0 10 差 交流 差 2 500?7003?4 4.0?5.0 3?4 良好 交流 良好 2 500?7003?4 4.0?5.0 3?4 良好 交流 差/良好 1 300?500 20?100 2.0?3.5 4?7 極佳 直流 差 相對成本 最大I/O數 面積尺寸，晶粒 (mm) 導線電感 (nH) 週邊接合間距 (mm) 晶粒可用性 探針測試 可重製性 覆晶 覆TAB TAB 晶粒黏接和導線接合 2 高達17000 塑膠65?50 R：中等 L：中等 C：低 28到84腳，腳距50 mil，體寬0.49到1.19 表面嵌黏 PLCC 30 高達25000 陶磁70?45 R：中等 L：中等 C：中等 28到84腳，腳距40到50 m