fram铁电材的微结构与电性能研究.pdf

摘 要 铁电材料与微电子技术相结合，促成了新兴交叉学科— 集成铁电学的出 现，以铁电随机存储器 (FRAM)为代表的铁电集成器件的诞生，推进了信息时 代的发展。FRAM器件利用了铁电材料剩余极化双稳态的特点，具有非易失、 高密度、抗辐射、抗干扰等优点，被认为是下一代的主存储器，FRAM 的研制 是当今材料科学领域的研究前沿。 AB03型PbZr(l.x)Ti,03(0x1,PZT)和秘层状SrBi2Ta209(SBT)是FRAM 器件应用最主要的两种材料。由于薄膜科学与技术的发展，人们已经可以采用 成熟的硅基CMOS工艺制作低密度的FRAM器件。但是，由于目前对铁电薄膜 的生长、微结构及其与电性能的关系，特别是对电畴及其与疲劳行为的关系、 电性能与薄膜尺寸的依赖关系，认识还不够完全，使得大规模产业化高密度的 FRAM 器件尚存在一定困难。此外，材料的选择也陷入两难的境地，一方面， PZT材料具有较高的极化强度，但是疲劳现象严重;另一方面，SBT材料是一 种无疲劳材料，但是它的极化仅沿a轴方向产生，并且剩余极化相当小。铁电 薄膜的开发现状在一定程度上制约了FRAM器件的发展。 本论文正是针对以上问题而展开，以SBT和PZT铁电薄膜材料为研究对象， 紧紧围绕材料的微结构与电性能的关系这一主题，从理论和实验上进行了材料 的改性、薄膜生长、电性能与薄膜尺寸及织构的依赖关系、电畴及其与疲劳行 为的关系等几方面的研究，取得了一系列具有创新性的研究成果，归纳起来， 主要有以下几个方面: (1)通过大量试验研究发现La3+掺杂可以提高SBT陶瓷材料的电性能，La3+ 引入后主要替代Bi3十，引起了晶格畸变，因而使电性能得到了提高，但是过量(超 过6at.%)掺杂导致了La3+替代Sr，不等价替代松弛缓和了晶格畸变，电性能 反而下降。 (2)在多次重复实验中，观察到了W6+掺杂SBT陶瓷低频低电场下的锯齿状 电滞回线，研究认为，这是因为B位不等价替代形成了缺陷偶极子，缺陷偶极 子对系统极化的贡献是一种扰动，所以造成了锯齿状电滞回线。将缺陷偶极子 的扰动假设成简谐振子的运动，结合Preisacb模型，成功地模拟了锯齿状电滞回 线，并演绎了驰豫角的新概念。驰豫角的物理意义说明，在高频高场的条件下 缺陷偶极子的扰动作用不存在，因而不表现出锯齿状电滞回线。 (3)为了生长非c轴取向的SBT薄膜，研究了脉冲激光沉积法制备SBT薄 膜时溅射辉光与基底的相互作用，发现改变基片温度和靶基距可以改变辉光与 基片的能量交换状态以及沉积到基片上薄膜的成分，使SBT薄膜以不同的生长 模式生长，因而得到了不同织构的SBT薄膜。根据SBT秘层状类钙钦矿的结构 特点，解释了不同织构薄膜的电性能不同的原因。 (4)首次提出了化学液相交替沉积方法，将传统化学液相法中的一种前驱体 分成两种，如PZT前驱体分成PbTi氏和PbZr03前驱体，SBT前驱体分成SrTa206 和Bi204前驱体，然后按一定的次序交替旋涂两种前驱体，每次旋涂后立即进行 热处理。利用第一薄层纳米晶的高化学活性，以及与最终薄膜晶格结构相匹配 的特点，降低了SBT,PZT薄膜的工艺温度，与常见工艺温度相比，分别下降 了150℃和 loot (5)通过PZT薄膜和SBT薄膜的对比研究发现，PZT薄膜的电畴面积和内 应力随着反转次数累积而增大，而SBT薄膜的却基本保持不变。详细分析了它 们的极化反转机制后，认为这是它们不同的极化反转机制造成的。PZT薄膜的 极化反转是非 1800的，因而有内应力的产生，并随着反转次数的累积而累积， 从而限制了极化的反转，使越来越多的畴被钉扎，因此表现出疲劳行为。而与 之相对应，SBT薄膜的极化反转是1800的，因而没有应力的产生，电畴和极化 反转不受限制。对比研究的结果认为极化反转时的应力状态是决定铁电薄膜疲 劳行为的根本因素。 (6)利用La3+掺杂SBT(SBLT)陶瓷靶材和脉冲激光沉积法，制备了非c 轴取向的SBLT薄膜。SBLT薄膜具有较好的极化性能，但是抗疲劳特性却有所 下降。采用压电响应显微镜，首次观察到了秘层状SBLT薄膜的900电畴结构， 并首次证实了在链层状SBLT薄膜中存在90“极化反转。晶体结构研究表明， SBLT薄膜的正交率 ((bla一1)与SBT薄膜的相比，下降近一倍，使a轴和b轴 的互换更容易，正是通过a轴和b轴的互换，实