CuPcZnS层复合薄膜的制备、性能及新型液昌光阀的研究.pdfVIP

摘要 本文介绍了有机、无机及有机复合光电材料的研究进展，概述了其结构、 光电性能，并列举了几种典型的光电导理论。系统地综述了有机／无机复合薄膜 的结构、光电性能及制备方法，并对几种光电导理论进行了详细的阐述。f有机／ 无机复合薄膜材料不仅具有优越的光电性能，并且相对于有机材料稳定性有很 大的提高，近年来成为材料研究的热点。、 ’j 首次利用真空热蒸发法成功地制备了CuPc／ZnS多层复合薄膜，详细研究 、一 …一～ …7_～～…一 沉积工艺条件对薄膜光电性能的影响规律。(发现随着沉积温度的提高，薄膜光 电性能先上升后下降。150℃制备的复合膜光电性能最佳，薄膜结构致密、结晶 好、缺陷少。低温时制备的薄膜结晶较差，有序度低，而高温样品中出现了团 聚现象，缺陷多，光电性能差。研究了CuPc层厚度对CuPc／ZnS多层复合薄膜 光电性能的影响规律。发现薄的有机层与较厚的无机层复合可以获得优良的光 电性能。薄的有机层有利于激子迅速迁移到界面离化为电子一空穴对，从而减少 复合，提高光电导性能。但很薄(O．05um)的有机层不利于对光的有效吸收而降 低了光电导性能，而较厚(O．2um)的有机层使载流子在有机层的复合增加，光 电导同样下降。由于空穴扩散层的存在，因此需要有较厚的无机层，才能有利 于载流子的迁移。l 。t t 层复合薄膜中，CuPc层起光生载流子材料作用，而ZnS层为电子传输层。光照 时在CuPc层内产生激予，其迁移至界面并离化为电子-空穴对，电子进入ZnS 的导带而空穴留在CuPc层中，电子和空穴分别在无机、有机材料中传输，充 分利用了无机材料高的载流子迁移率、有机材料高的光生载流子的特点，同时 、 又减少了有机材料高的复合率，提高了材料的光电性能。寸 一 ， ， 得到了制备光电性麓最佳的CuPc／ZnS复合薄膜的沉积工艺参数。I衬底温 t 、 的成功制备为高性能液晶光阀器件研究提供了条件。j 为了制备高性能的液晶光阀，对cdTe阻光层材料进行研究。【研究了沉积 的衬底温度对薄膜光电性能的影响。发现碲化镉薄膜的光电导性能在衬底温度 为150℃时最佳。温度的升高一方面有利于薄膜晶体生长，有利于薄膜中残余 气体的减少，另一方面又会造成被吸附粒子Te的再蒸发及氧化，导致缺陷的增 加和氧化程度的提高。在150℃制备的碲化镉薄膜结构致密，缺陷浓度小，杂 质少，表现出良好的光电性能。通过对沉积工艺的研究，提出了真空热蒸发法 别蒸发至基板表面后发生化合反应生成CdTe，同时部分Te发生氧化反应生成 1 TeO。。＼ ， ABSTRACT and and the onthe structure，composites theresultsof showed thesis preparation This study