AlN、ta-制备及其在SOI技术中的应用研究.pdfVIP

摘要 SOI材料可成功的应用于微电子的大多数领域，但由于其Si02绝缘埋层的 自热效应，使其在高温高功率器件中的应用受到局限。科学家们已经对此问题 进行了大量的研究，并提出了一些可行性方案。为解决此问题，本文提出采用 热传导性能较好的绝缘层取代Si02薄膜来解决。 为开发具有不同绝缘层材料的新型SOl材料和技术，我们首先针对传统SOI 结构以及新型SOl结构，建立了适用于“电-热．结构”分析的电热模型，并分 析了温度变化对迁移率、载流子浓度、阈值电压、源漏特性等SOl器件主要电 学特性参数的影响情况，发现温度升高将使器件沟道迁移率和阈值电压下降， 并影响器件的源漏特性及本征载流予浓度，这一观察有利于进一步从理论上探 讨和研究功率器件的自热效应给器件性能带来的负面影响。 另外，本文还研究了SOl器件运行过程中，由于自身功耗而导致的自加热 过程以及散热过程的特点。为定量研究不同环境温度条件下，由于器件功耗导 致的晶格温度和内部热应力在器件中的分布情况，我们采用ANSYSv6．1有限 元分析软件，模拟了不同器件结构受到自热效应影响的程度。分别从电一热一结 构的相互作用等方面研究了自热效应对SOl结构的影响。研究结果表明，A1N、 金刚石(diamond)、四面体非晶碳膜(Tetrahedralcarbon，简称ta-C) 8morphous 等薄膜的热传导性能均远优于Si02薄膜；应力沿器件纵向分布的结果表明，Si02 SOl和diamond SOl器件的应力沿纵向的变化幅度较大，采用ta—C薄膜可以有 效降低此幅度。 在上述研究基础上，本文分别采用离子束增强沉积(IBED)和真空磁过滤 膜j研究了不同沉积参数对薄膜性能的影响情况，并优化了沉积工艺及参数； 通过多种表征方法测试了薄膜的性能，为进一步制备SOl材料奠定了基础。 对于AIN薄膜，采用AFM、XPS等表征方法研究了薄膜的微观表面形貌、 微观组织结构、化学成分等特性，研究结果表明，制备的薄膜具有纳米级别光 滑的表面。研究了采用MIS电容法测试材料电学特性的理论基础、实验方法以 及参数提取方法等。采用A1／AIN／Si MIS器件结构，结合SRP、C-V、I-V等 III AIN、ta-C薄膜制备及其在SOl技术中的应用研究 测试手段，获得了A1N薄膜的电阻率、有效介电常数、阈值电压、击穿电场等 电学特性参数，并表征了薄膜的电绝缘性能。沉积过程中，通入适量氮气有助 于使N，Al比接近化学计量比，有效提高薄膜的电绝缘性能。A1N薄膜的击穿场 强可以达到1。42MWcm。 法研究了薄膜的微观表面形貌、微观组织结构、化学成分等特性。研究结果表 明，制各的薄膜具有很低的表面粗糙度，适合SOl材料制各工艺中的键合过程； 设备的磁过滤系统和高真空度使所制各的薄膜中杂质含量很低(如氧含量低于 2％)，薄膜纯度较高。采用Al／ta．C／Si MIS器件结构，结合C．v、I．v等测试 手段，获得了ta—C薄膜的电阻率、有效介电常数、闷值电压、击穿电场等电学 特性参数，并表征了薄膜的电绝缘性能。ta—C薄膜的击穿场强可以达到 4．7MV／cm。 研究结果表明，制各的A1N和ta—C薄膜具有较高的电绝缘性能和热传导性 能及很低的表面粗糙度，可以结合Smart．Cut工艺制备新型SOI材料。 关键词：SOI，电热模型，自加热效应，离子束增强沉积，真空磁过滤弧源沉积 1 Abstract for mainstreamsubstrate tobecome expected Sillcon_on-insulator(SOI)is