Bi（La）-O系铁电薄膜和纳米晶的制备及性能研究.pdfVIP

中文摘要 铁电薄膜是集铁电、压电、热释电、电光及非线性光学于一体的多功 能材)4.令广泛应用于微电子学、光电子学、集成光学等诸多领域。铁电 体以薄膜的形式和半导体相结合，可以制成铁电存储器、压电传感器、热 释电红外探测器、电光开关、光波导、微驱动器等功能器件。随着薄膜制 备技术的进步和应用领域的不断开拓，铁电薄膜的基础研究和器件开发得 到迅速发展。 近年来许多制膜方法，如金属有机分解法、金属有机气相沉积法、激 光脉冲沉积法等都成功应用于铁电薄膜的制备，极大推动了铁电薄膜的应 用和发展，使得制作与半导体工艺相兼容的集成铁电器件成为可能。和其 它方法相比，金属有机分解(MOD)法具有设备简易、成本低、均匀性好、 化学计量比易于控制、原料选择范围广等诸多优点， Bi4Ti30,2(BTO)具有优良的铁电、电光、压电等性能，它有高介电常 数，高居里温度和抗击穿强度，是制作非挥发性铁电存贮器的主要材料之 一，但Bi4Ti30l2也存在可靠性、极化疲劳、保持性等问题。经过多次铁 电极化翻转后，BTO会出现疲劳现象，而BilzsLao.75Ti3012田LT(0.75)]却 有优异的抗疲劳性能。研究表明，用La3十部分取代BTO中的Bi3+后，可 以在一定程度上稳定钙钦矿层，因而有很好的抗疲劳性能。 铁电场效应管((FEFET)是一种很有前途的存储器，它为非挥发性无损 读出存储器。对于FEFET，硅衬底上的铁电薄膜必须保持良好的铁电性 能，而且金属/铁电体/半导体(MFS)电容器的表面态密度也较小。为了降 低表面态的影响，我们选择表面态密度最低的((100)取向的Si作为衬底来 制备MFS器件。铁电薄膜和Si衬底之间的界面反应和相互扩散会导致器 件的漏电流增大，保持性下降，破坏了器件的基本性能，因而在沉积铁电 薄膜之前引入缓冲层，以期改善FEFET的性能:沂了- 采用MOD法在Si(100)衬底上直接沉积了BLT(0.75)薄膜.C50℃快速 退火2分钟的BLT(0.75)薄膜是多晶膜，而且有很好的结晶性，薄膜表面 平整致密，无开裂。室温下薄膜的电阻率在1012_1013S1.cm.I-V特性曲 线显示在低电压范围内导电遵守Ohmic规律，而在较高电压范围导电遵 守空间电荷限制机理。 AuBLT(0.75)/Si电容器的C-V曲线显示，记忆窗口随着施加到电容 器的偏压的增加而增大。C一 曲线显示了电容从耗尽态到聚集态的变化， 在夕ov的偏压范围，有明显的存储效应。硅单晶衬底的表面首先是和Ti-O 八面体层相连，因此负电荷在BLT(0.75)/Si界面占优势，导致C-V曲线向 正电压方向移动。通过C-V的测量，计算了BLT(0.75)铁电薄膜的固定电 荷密度((N,,=2XIOcmZ)和表面态密度N=,( 1XI012CMZeV-1)e以 上 研 究 结 、 丫 了 7 一 矛 果表明，MOD法制备的BLT(0.75)薄膜适合制作FEFET器件 在BLT(0.75)和Si衬底之间加入Bi2Ti207层，制备出金属肤 电薄膜/ 缓冲层/半导体/金属结构。砂P型Si(100)衬底上沉积了有Bi2Ti20:缓冲层 的BLT(0.75)薄膜。Bi2Ti207层的引入可使BLT(0.75)薄膜的晶粒长大而又 不明显增加平均表面粗糙度，同时改善了薄膜的铁电性。Bi2Ti207层不仅 是缓冲层，而且作为BLT(0.75)薄膜生长的籽晶层。 C-V回线表明，AuBLT(0.75)Bi2Ti207/Si电容器在17V的偏压范围有 很稳定的记忆窗口，保持性较好。C-V回线很 “方”，表明土7V的偏压足 以使薄膜极化翻转，这比BLT(0.75)/Si样品的开关电压120V要低，Bi2Ti2O7 层的引入改善了薄膜与衬底的界面。在电场的作用下，氧空位可在薄膜内 迁移。在偏压一温度(B-T)试验中，薄膜中可动电荷的移动导致C-V曲线的 移动，由此可计算出薄膜中可动电荷一氧空位的密度。 BLT(0.75)Bi2Ti20:复合薄膜表面平整致密，室温下薄膜的