CVD制备碳基半导体材料及其特性研究.pdfVIP

摘要 摘要 在本研究工作中，采用等离子体辅助化学气相沉积(PEcVD)法，在单晶si 薄膜。研究了牛长的工艺参数对B—Sic薄膜成分和结构的影响。探索到了低温沉 积B—sic薄膜的最佳工艺条件，并在一定条件下制备出了纳米晶G—SiC薄膜。 的表面沉积出金刚石薄膜。研究表明在同一牛长条件下，在si和Tisi一衬底均能 形成(001)取向的金刚石核，但在si衬底上金刚石(100)丽牛长速牢大：而矗： 00)面，使得 Tjsi?表面沉积金刚石薄膜时，其(Jl】)面的乍长速度大j：(J (111)面逐渐长大和(100)面逐渐消失。样品的场致电了发射实验表明Ti引表 面的金刚石薄膜比Si衬底上的金刚石薄膜具有更优良的发射特性。薄膜的xPs表 明Tisi?作为中间层能起到阻止衬底材料与金刚石的界面反应作用，提高了金刚石 薄膜的附着性。当衬底温度大于900℃，随着温度的升高，金刚石的质量逐渐变 差，此现象与si衬底上书长的金刚石时相类似。 采用离了辅助轰击法，以cH，、吼为源气，衬底温度为700～900℃，通过改变 衬底负偏压、H：和cH，气体比例以及工作气压，制备出纳米金刚石薄膜，并对Ii艺 参数对金刚石薄膜沉积的影响进行了研究。牛长的金刚石薄膜样品具有很低的压 应力和优良的场电了发射性能。探讨了金刚石的核化机制和纳米金刚石的形成机 制，认为沉积过程中的持续的离了轰击是CH，和盯体系制备纳米金刚石薄膜的关 键。 关键词：B—siC薄膜：金刚石薄膜；纳米晶；衬底负偏压 摘要 Abstract stud B-SiCnlmis on PECVDmethodat Inthis Si(1 y’highquality grown 00)by substrate of400…-700℃．Theeffectsof onthe Ihe temperature growthparameters and ofB．SiCfilmarestudied．TheconditionforB—SiC structure composition optimal is undersuitabIe flJm isf-oundand B—SiC“lm growth nanocrystalllne prepared condition is Forthenrst fiIm on surfacecoatedonSisubstrate time，diamOnd TiSi2 grown using isdemonstratedthe method．It thatin same diamond HFCVD condition，(OOI)textured be on and diamondnlm can formedSi is