多晶硅导电材料伤噪声灵敏表征技术研究.pdfVIP

摘要 摘 要 多晶硅导电材料作为集成电路和光伏产业重要的基础材料，它在辐射环境下 性能的退化对航天电子器件和系统的运行可靠性具有巨大影响。多晶硅导电材料 常规电学表征参量对辐射损伤不灵敏，而噪声与材料内部缺陷密切相关，可以忠 实反映材料内部的辐射损伤变化。本文研究既可用于多晶硅导电材料辐射损伤， 又可用于器件辐射效应的噪声表征技术。 本文结合多晶硅导电材料的实际应用环境设计了四种类型共十一个电阻器样 品，几乎涵盖了多晶硅导电材料在集成电路中所有应用类型。样品采用既能够真 实的反映多晶硅导电材料的辐射损伤，又便于噪声测试的四端测试结构。设计合 理的60CoY射线辐照实验方案，测试了辐照前后的样品电学和噪声特性。通过对 电学和噪声测试数据的分析和比较，给出了多晶硅电阻器样品性能退化的辐射损 伤机制解释，优选出用于多晶硅导电材料辐射损伤噪声表征的灵敏参量。 已有多晶硅导电材料1／f噪声解析模型是分别基于载流子迁移率涨落和载流子 数涨落机制建立的。但是根据载流子在多晶硅导电材料内的传输物理图像可知， 载流子在传输路径上将被富集缺陷的晶界区所俘获，导致载流子数的涨落：而这 些被俘获的载流子将调制晶界区的势垒，引起载流子迁移率的涨落。因此，考虑 单一涨落机制建立的1／f噪声模型是不完善的。本文引入与晶界势垒变化相关的晶 界处缺陷俘获发射引起的载流子数变化，建立基于双机制的多晶硅导电材料1／f噪 声统一模型。通过引入辐射损伤系数，建立多晶硅导电材料辐射损伤1／f噪声表征 模型。最后，基于噪声表征技术，本文给出了多晶硅导电材料辐射损伤的失效判 据和基本测试流程。 关键词：多晶硅辐射损伤噪声灵敏表征技术 Abstract 1 Abstract and materials Withthe of kindsofelectronic technology,the developmentaerospace material in environmentincreased conductive devicesusedspace constantly．Polysilicon in circuitsand all basismaterial industry,its is important integrate photovoltaic oilthe of hasalremendous reliabilityaerospace degradation impact performance electrical devicesand inirradiativeenvironment．Conventional electronic systems conductivematerialsradiation isinsensitive； characterizationofpolysilicon damage