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离子注入对YS和Alamp;lt;,2amp;gt;Oamp;lt;,3amp;gt;单晶光学性能的影响.pdf
离子注入对YSZ和A1203单晶光学性能的影响
材料学专业
研究生 向霞 指导教师 曾光廷教授 祖小涛教授
cubic
辐照的绝缘体，而后者则是抗辐照最差的绝缘体材料之一，研究重离
子注入对其光学性能的影响并以此研究辐照效应，有重要的理论意义
和应用价值。
96计算分别
本文通过光吸收、光荧光、TEM、XPS测试及TRIM
研究了不同注量Xe+注入YSZ前后光学性能和缺陷形态变化，以及Ni+
注入对不同掺杂单晶A1203结构和光学性能的影响，得到以下结果：
的吸收带，与x射线、中子辐照相比，重离子辐照产生了更为复杂的
缺陷复合体而导致吸收峰红移。(2)注量为10”cm‘的YSZ荧光光谱为
蓝移，并且样品没有荧光现象。(3)YSZ缺陷性质随注量增加发生了明
显的变化，注量为101
峰位蓝移，是由于Xe以气泡形式析出，改变了缺陷形态、使缺陷的分
立尺寸减小，纳米粒子的量子尺寸效应变得明显，导致能隙展宽。同
时，缺陷浓度增大及形态改变使非辐射跃迁几率增大，导致荧光现象
迁产生的宽吸收带，其余三种掺杂样品由于Ni”的吸收与C，+离子的
吸收重叠，故观察不到新吸收带。注入Ni+对样品发光无明显影响。
(5)注入的xe+在距表面47rim处浓度取得最大值．离子注入使两种类型
氧格点的化学环境变得相似，01s谱的两个峰融合为一个峰。注入的
在约20nm位置产生损伤最大值～320dpa，样品明显发生非晶化转变。
吸收光谱 荧光光谱
关键词：单晶YSZ单晶A1203离子注入
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TEM 96计算辐照损伤
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Effect SpectralProperties
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YSZ
and
A1203 crystals
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