超声雾化热解法备ZnO薄膜结构及其性能研究.pdfVIP

摘要 氧化镩是一种多闵途的Ⅱ．Ⅵ族宽蔡带半导体材料。传统上，ZnO薄膜被广 泛应用予太阳能电池、声表面波器l牛、压敏器件、逶明导电电极等领域。近颦来， ZnO露为鼹禁带半导侮零孝辩懿硪究麓寒莲受至§入翻约重视。秘GaN耨范，ZnO 室温下较强的紫外受激发射，制各出性能较好的探测器、发光二极管和激光二极 警等光墩子器箨。ZnO瓣辐翦波长其有魄CmN翡蓝光发葑嚣矮，对增热巍记录 密度具肖熏要意义。目前，有关氧化锌的研究集中在氧化锌的紫外光发射和可见 光发光槐制方藤。对予可见光发光机镥嵋前尚炙统一认识。 本文综述了ZnO薄膜静各韩垒长技术及其簸理，莠穰括了ZnO薄貘耢究的 最新进展。利用自制的超声雾化热解沉积技术生长了具有c轴择优取向的多品 ZnO薄膜，并利用x射线衍射仪卿)、扫描峨子最微镜(SEM)、原子力鼹微镜 absorption (AFM)、紫乡}一霹觅必光谱铰COV-Vis 件，皴前驱物溶液浓发、衬底温度、沉积时间、邋火处理和掺杂浓度对ZnO薄 膜结秘釉往麓煞影璃。实验甓采袭鞠，蓠驱麓浓度增热有耱予铡备C辘取向生 长的ZnO薄膜：400℃时，沉积出黼质量C轴择优取向的ZnO薄膜，在氧气气 氛下退火温度为600℃时，得到的游膜结晶性较好；而且，掺杂浓度增加誉测予 ZnO薄貘豹取淘生长。受激发射巍激发先结粟袭疆，样品在6∞℃退火辩390rim 紫外发射最强，同时观察到强度较弱的可见光发光带。实验迸发现，退火气氛可 明显改变ZnO的本缀澜缺陷发光，可见发光枧镱《探讨中，蘸绿发光的主鬟悬由 氧空位域锌填踩等缺麓弓l起静。 关键诩ZnO薄膜；超声雾化热瓣；受激发射；光致发光 Abstract ZnOisa with II-VIsemiconductormaterialwide in used band-gap，widely thin filmswere inwave sensor， manyareas．Traditionally，ZnO applied device，gas SO has moreand electrodes，and moreattention transparent on．Recently,ZnO gained in UV the fieldof toGaN optoelectronic detector,Lightdisplay etc．Compared witha ZnO of60meVCanbe (25emV)，high-qualityhigher bindingenergy atmuchlower synthesized temperature，whichpromisesstrong fromboundexcitonicemissionatroom